晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 600mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 40V | 功率(Pd) | 150mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 30@0.1mA,1.0V | 特征频率(fT) | 200MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 400mV@150mA,15mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
产品概述:MMBT4403WT1G
MMBT4403WT1G 是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)出品的高效能 PNP 型双极性晶体管(BJT),主要适用于各种电子电路中的信号放大和开关应用。这款晶体管采用 SC-70(SOT-323)封装,非常适合于空间受限的表面贴装(SMD)应用。
MMBT4403WT1G 采用 SC-70-3 封装,这是一种表面贴装封装,适用于各种小型电子设备的制造。该封装具有紧凑的尺寸和低高度,适合于空间有限的电路板设计,能够有效提升产品的集成度。
MMBT4403WT1G 晶体管广泛应用于多个领域,包括但不限于:
总之,MMBT4403WT1G 是一款性能优越的 PNP 型双极性晶体管,凭借其高集电极电流承载能力、良好的频率性能和紧凑的封装设计,为多种电子应用提供了理想的解决方案。无论是在消费电子、工业应用还是任何需要高效小型开关和放大的场合,MMBT4403WT1G 都是一个值得选用的元件。无论是设计工程师还是产品开发者,这款器件凭借其卓越的特性将为您的项目增添更多可能性。