晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 500mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 80V | 功率(Pd) | 460mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 100@100mA,1.0V | 特征频率(fT) | 50MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 250mV@100mA,10mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
MMBTA56WT1G 产品概述
一、产品简介
MMBTA56WT1G 是一款高性能的PNP型晶体管,由安森美(ON Semiconductor)生产。作为表面贴装型器件,它采用 SC-70-3 (SOT-323)封装,适合于对空间要求严格的应用。这款晶体管具有卓越的电气特性和宽广的工作温度范围,使其成为各种电子电路设计中的理想选择,尤其是在低功耗和高效率的应用场景中。
二、关键参数
晶体管类型:PNP MMBTA56WT1G 属于PNP晶体管类型,这使其在开关和放大应用中具有可灵活控制的特点。
最大集电极电流 (Ic):500mA 该型号支持的最大集电极电流为500mA,能够满足大多数小型电源和信号放大应用的需求。
最大集射极击穿电压 (Vce):80V 最大集射极击穿电压为80V,适于需要较高耐压能力的应用。
饱和压降 (Vce(sat)):250mV @ 10mA,100mA 在不同的电流条件下,其Vce饱和压降表现出良好的电性能,最大发生在10mA和100mA当前值下,这对于功耗管理至关重要。
最大集电极截止电流 (Ic(off)):100nA 集电极截止电流达到100nA,显示其在关闭状态下的优异密封性能,有助于降低待机功耗。
直流电流增益 (hFE):100 @ 100mA,1V 此外,其最小DC电流增益hFE为100,表示在较高负载下能保持良好的放大能力。
功率最大值:150mW MMBTA56WT1G 的最大功率为150mW,适合于各种低功耗应用场合。
跃迁频率 (fT):50MHz 带宽性能的提升让其在高速开关应用中表现更为出色,拓宽了其应用范围。
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) MMBTA56WT1G 可以在广泛的工作温度范围内稳定运行,适用于各种严苛的环境条件。
三、应用场景
由于其卓越的电气参数及广泛的应用适应性,MMBTA56WT1G 可广泛应用于以下几个领域:
消费电子:适合于无线设备、音频放大器、无线通信设备及各种便携式消费电子产品。
工业设备:在各种工业控制系统中用作开关元件,特别是在传感器、执行器的驱动中。
电源管理:可作为线性调节器和DC-DC转换器的输出开关,在电源管理系统中起到重要作用。
汽车电子:在车载设备中作为信号放大和开关控制等功能的基础元件,以提升数据传输和信号处理能力。
四、封装与安装
该器件采用SC-70-3(SOT-323)封装,具备小尺寸和轻量化特点,使其能够在空间受限的电路板设计中得以广泛应用。此外,表面贴装型的设计也简化了自动化生产的工艺,提升了组装效率和可靠性。
五、总结
MMBTA56WT1G 是一款具有优良性能的PNP晶体管,其广泛的电气特性和工作温度范围,使其在多个领域得以应用。无论是消费电子、工业设备,还是汽车电子,该器件都能提供可靠的解决方案。随着电子设备对小型化和高效能需求的不断增加,MMBTA56WT1G 作为一款理想的元器件,将在未来的电子设计中继续发挥重要作用。