MMBTA56WT1G 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

MMBTA56WT1G

商品编码: BM0084327621
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
SC-70-3(SOT323)
包装 : 
编带
重量 : 
0.031g
描述 : 
三极管(BJT) 150mW 80V 500mA PNP SOT-323-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.184
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.184
--
3000+
¥0.163
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

MMBTA56WT1G参数

晶体管类型PNP集电极电流(Ic)500mA
集射极击穿电压(Vceo)80V功率(Pd)460mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)100@100mA,1.0V特征频率(fT)50MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)250mV@100mA,10mA
工作温度-55℃~+150℃

MMBTA56WT1G手册

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MMBTA56WT1G概述

MMBTA56WT1G 产品概述

一、产品简介

MMBTA56WT1G 是一款高性能的PNP型晶体管,由安森美(ON Semiconductor)生产。作为表面贴装型器件,它采用 SC-70-3 (SOT-323)封装,适合于对空间要求严格的应用。这款晶体管具有卓越的电气特性和宽广的工作温度范围,使其成为各种电子电路设计中的理想选择,尤其是在低功耗和高效率的应用场景中。

二、关键参数

  1. 晶体管类型:PNP MMBTA56WT1G 属于PNP晶体管类型,这使其在开关和放大应用中具有可灵活控制的特点。

  2. 最大集电极电流 (Ic):500mA 该型号支持的最大集电极电流为500mA,能够满足大多数小型电源和信号放大应用的需求。

  3. 最大集射极击穿电压 (Vce):80V 最大集射极击穿电压为80V,适于需要较高耐压能力的应用。

  4. 饱和压降 (Vce(sat)):250mV @ 10mA,100mA 在不同的电流条件下,其Vce饱和压降表现出良好的电性能,最大发生在10mA和100mA当前值下,这对于功耗管理至关重要。

  5. 最大集电极截止电流 (Ic(off)):100nA 集电极截止电流达到100nA,显示其在关闭状态下的优异密封性能,有助于降低待机功耗。

  6. 直流电流增益 (hFE):100 @ 100mA,1V 此外,其最小DC电流增益hFE为100,表示在较高负载下能保持良好的放大能力。

  7. 功率最大值:150mW MMBTA56WT1G 的最大功率为150mW,适合于各种低功耗应用场合。

  8. 跃迁频率 (fT):50MHz 带宽性能的提升让其在高速开关应用中表现更为出色,拓宽了其应用范围。

  9. 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) MMBTA56WT1G 可以在广泛的工作温度范围内稳定运行,适用于各种严苛的环境条件。

三、应用场景

由于其卓越的电气参数及广泛的应用适应性,MMBTA56WT1G 可广泛应用于以下几个领域:

  1. 消费电子:适合于无线设备、音频放大器、无线通信设备及各种便携式消费电子产品。

  2. 工业设备:在各种工业控制系统中用作开关元件,特别是在传感器、执行器的驱动中。

  3. 电源管理:可作为线性调节器和DC-DC转换器的输出开关,在电源管理系统中起到重要作用。

  4. 汽车电子:在车载设备中作为信号放大和开关控制等功能的基础元件,以提升数据传输和信号处理能力。

四、封装与安装

该器件采用SC-70-3(SOT-323)封装,具备小尺寸和轻量化特点,使其能够在空间受限的电路板设计中得以广泛应用。此外,表面贴装型的设计也简化了自动化生产的工艺,提升了组装效率和可靠性。

五、总结

MMBTA56WT1G 是一款具有优良性能的PNP晶体管,其广泛的电气特性和工作温度范围,使其在多个领域得以应用。无论是消费电子、工业设备,还是汽车电子,该器件都能提供可靠的解决方案。随着电子设备对小型化和高效能需求的不断增加,MMBTA56WT1G 作为一款理想的元器件,将在未来的电子设计中继续发挥重要作用。