晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 200mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 40V | 功率(Pd) | 150mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 60@0.1mA,1.0V | 特征频率(fT) | 250MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 50nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 250mV@10mA,1.0mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
MMBT3906WT1G 是 ON Semiconductor 生产的一款高性能PNP晶体管,主要用于各种电子电路的信号放大、开关应用及驱动电路等场景。该产品采用表面贴装型 (SMD) 封装,封装形式为 SC-70-3 (通常称为 SOT-323),具有小体积和良好的热特性,适合高密度电路板设计。
电流和电压特性:
饱和压降:
电流增益:
功耗与温度特性:
频率特性:
MMBT3906WT1G 可广泛应用于各类电子产品中,例如:
MMBT3906WT1G 采用 SC-70-3 (SOT-323) 封装,具备超小体积的优点,适合在空间有限的电路板上使用。同时,其表面贴装(SMD)类型使得安装流程更加简洁高效,适应现代电子器件的自动化生产趋势。
MMBT3906WT1G 是一款综合性能优异的PNP晶体管,凭借其良好的电气特性和宽广的工作温度范围,适合于各类电子应用。无论是在音频放大、开关驱动还是在高频信号处理的场合,它都能够提供可靠的性能。随着全球电子设备小型化及高集成度的趋势,该款器件必将在未来的电子设计中得到更广泛的应用。
选择 MMBT3906WT1G,您将获得一款兼具高性能与可靠性的优秀晶体管,助力您的电子项目实现卓越的电气性能与设计灵活性。