晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 50mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 30V | 功率(Pd) | 225mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 300@1.0mA,5.0V | 特征频率(fT) | 50MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 50nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@10mA,1.0mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
MMBT5088LT1G 是由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款高性能NPN型双极性晶体管(BJT),该器件尤其适用于低功率放大和开关应用。MMBT5088LT1G,在可靠性和热稳定性方面提供了优秀的性能,广泛应用于电子设备、自动化控制和通讯设备等多个领域。
晶体管类型: MMBT5088LT1G 是一款NPN晶体管,适合于数字和模拟电路中的信号放大和开关应用。
工作条件: MMBT5088LT1G 的工作温度范围为-55°C至150°C,能够确保其在极端环境条件下仍然可靠运行。
电流与电压参数:
增益特性:
频率特性: MMBT5088LT1G 的跃迁频率为50MHz,支持高频应用,适用于音频或其他需要高频响应的电路。
功率管理: 最大功率为300mW,提供了良好的功率处理能力,适合于小型化的设备要求。
MMBT5088LT1G 采用 SOT-23-3 封装,该封装具有较小的体积,适合表面贴装型应用。该晶体管的卷带包装(TR)使其在自动化生产中易于操作,既提高了制造效率,也减小了物料浪费的可能。
由于其优异的性能特征,MMBT5088LT1G 被广泛应用于以下几种场景:
放大电路: 在音频和视频设备中,可以用于信号放大,确保高保真度的输出信号。
开关电路: MMBT5088LT1G 适合用作开关元件,比如在可编程逻辑控制器 (PLC) 和其他控制电路中。
射频应用: 由于其较高的频率响应,适用于无线通讯和其他高频电路,能够有效支持各种RF设计。
消费电子: 在手机、平板电脑、智能家居设备等日益普及的消费者电子产品中,其小型化和高效能成为设计中的重要选择。
MMBT5088LT1G 是一款功能全面、性能优良的NPN三极管,以其高增益、宽工作温度范围和可靠的电气特性,使其成为电子设计中的优选器件。无论是在专业的工程应用,还是在日常的电子产品研发中,这款晶体管都能提供出色的性能与可靠性,推动电子技术的进步与应用的发展。ON Semiconductor 为广大工程师和设计师提供了这一优质组件,助力他们在各自的项目中实现卓越的性能目标。