MMBT5088LT1G 产品实物图片
MMBT5088LT1G 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

MMBT5088LT1G

商品编码: BM0084327624
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
SOT-23-3
包装 : 
编带
重量 : 
0.03g
描述 : 
三极管(BJT) 300mW 30V 50mA NPN SOT-23
库存 :
36155(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.168
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.168
--
3000+
¥0.149
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

MMBT5088LT1G参数

晶体管类型NPN集电极电流(Ic)50mA
集射极击穿电压(Vceo)30V功率(Pd)225mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)300@1.0mA,5.0V特征频率(fT)50MHz
集电极截止电流(Icbo)50nA集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)500mV@10mA,1.0mA
工作温度-55℃~+150℃

MMBT5088LT1G手册

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MMBT5088LT1G概述

MMBT5088LT1G 产品概述

一、基本信息

MMBT5088LT1G 是由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款高性能NPN型双极性晶体管(BJT),该器件尤其适用于低功率放大和开关应用。MMBT5088LT1G,在可靠性和热稳定性方面提供了优秀的性能,广泛应用于电子设备、自动化控制和通讯设备等多个领域。

二、技术特性

  1. 晶体管类型: MMBT5088LT1G 是一款NPN晶体管,适合于数字和模拟电路中的信号放大和开关应用。

  2. 工作条件: MMBT5088LT1G 的工作温度范围为-55°C至150°C,能够确保其在极端环境条件下仍然可靠运行。

  3. 电流与电压参数:

    • 集电极电流 (Ic): 最大值为50mA,适合用于低功率的需求。
    • 电压 - 集射极击穿 (Vce) 最大值: 30V,保证了器件在高电压应用中具备一定的耐受能力。
    • 饱和压降 (Vce(sat)): 在工作条件下,最大饱和压降为500mV,适用于低功耗电路设计。
  4. 增益特性:

    • 直流电流增益 (hFE): 在100µA的基极电流 (Ib) 和5V的集电极-发射极电压 (Vce) 下,最低增益为300,显示出这个器件在小信号放大方面的出色表现。
  5. 频率特性: MMBT5088LT1G 的跃迁频率为50MHz,支持高频应用,适用于音频或其他需要高频响应的电路。

  6. 功率管理: 最大功率为300mW,提供了良好的功率处理能力,适合于小型化的设备要求。

三、封装与安装

MMBT5088LT1G 采用 SOT-23-3 封装,该封装具有较小的体积,适合表面贴装型应用。该晶体管的卷带包装(TR)使其在自动化生产中易于操作,既提高了制造效率,也减小了物料浪费的可能。

四、应用领域

由于其优异的性能特征,MMBT5088LT1G 被广泛应用于以下几种场景:

  1. 放大电路: 在音频和视频设备中,可以用于信号放大,确保高保真度的输出信号。

  2. 开关电路: MMBT5088LT1G 适合用作开关元件,比如在可编程逻辑控制器 (PLC) 和其他控制电路中。

  3. 射频应用: 由于其较高的频率响应,适用于无线通讯和其他高频电路,能够有效支持各种RF设计。

  4. 消费电子: 在手机、平板电脑、智能家居设备等日益普及的消费者电子产品中,其小型化和高效能成为设计中的重要选择。

五、结论

MMBT5088LT1G 是一款功能全面、性能优良的NPN三极管,以其高增益、宽工作温度范围和可靠的电气特性,使其成为电子设计中的优选器件。无论是在专业的工程应用,还是在日常的电子产品研发中,这款晶体管都能提供出色的性能与可靠性,推动电子技术的进步与应用的发展。ON Semiconductor 为广大工程师和设计师提供了这一优质组件,助力他们在各自的项目中实现卓越的性能目标。