晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 200mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 20V | 功率(Pd) | 150mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 120@1mA,2V | 特征频率(fT) | 400MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@100mA,10mA |
2SCR522EBTL 是一款高性能 NPN 型晶体管,特别设计用于在电子电路中实现功率控制、开关和放大功能。该器件由知名品牌 ROHM (罗姆) 生产,采用环保的表面贴装型封装(EMT3F/SOT-416FL),适合于高密度自动化生产线。其卓越的电气性能和小巧的封装使其成为许多消费电子、通信设备和工业应用中的理想选择。
此晶体管的电气特性使其能够在各种应用中保持高效率和稳定性。其中,200mA 的最大集电极电流与20V的集射极击穿电压提供了良好的操作裕度,适合于需要满足较高负载的场合。同时,其最大功率耗散能力为150mW,使其能够承载相对较大功率的应用需求。
饱和压降(Vce(sat))为300mV,这意味着在工作于饱和状态时,晶体管的能量损耗较小,有利于提高电路的整体效率。因此,在开关应用中,该器件将大大减少功率损失,提升系统的能效。
该产品在低电流条件下仍能维持较高的直流电流增益(hFE),在1mA的条件下仍能够达到120。这使得2SCR522EBTL在作为信号放大器的时候,能够有效提高输入信号的幅度,实现更高的信噪比和更佳的放大效果。
其高达400MHz的跃迁频率使得2SCR522EBTL非常适合用于高频应用,如射频信号的调制和解调,也适用于高数据率的通信系统及开关电源中。这使得其在现代电子设备中,尤其是通信和计算领域具有广泛的应用前景。
2SCR522EBTL非常适合用于以下应用领域:
该晶体管的设计考虑了较高的工作温度,最高温度可达150°C,这使得它能够在高温环境中稳定工作,确保电路的可靠性和稳定性。这使得2SCR522EBTL卓越的热管理性能成为其核心竞争力之一。
总体而言,2SCR522EBTL是一款适用于多种电子应用的高性能 NPN 晶体管,凭借其卓越的电气特性、高效率和小巧的封装,必将在未来的电子产品中发挥重要作用。无论是在新兴的消费电子产品、通信设备还是在工业自动化领域,2SCR522EBTL均展现出强大的适应性和竞争力,是设计工程师和电子设备制造商的理想选择。