DTC143EEBMGTL 产品实物图片
DTC143EEBMGTL 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DTC143EEBMGTL

商品编码: BM0084327637
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
EMT3F(SOT-416FL)
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
TRANS NPN 100MA 50V SC-89
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.131
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.131
--
3000+
¥0.116
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

DTC143EEBMGTL参数

制造商Rohm Semiconductor系列DTC143E
包装卷带(TR)零件状态有源
晶体管类型NPN - 预偏压 + 二极管不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)30 @ 10mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 500µA,10mA电流 - 集电极截止(最大值)500nA
安装类型表面贴装型封装/外壳SC-89,SOT-490
供应商器件封装EMT3F(SOT-416FL)电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)4.7 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2)4.7 kOhms频率 - 跃迁250MHz
功率 - 最大值150mW

DTC143EEBMGTL手册

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DTC143EEBMGTL概述

产品概述:DTC143EEBMGTL

基础信息

DTC143EEBMGTL 是由 Rohm Semiconductor 生产的一款高性能 NPN 晶体管,广泛适用于各种电子应用。它采用 SC-89 封装(也称为 SOT-490),兼具紧凑性和高效性,适合表面贴装型的设计要求。这款晶体管不仅具备高增益和低饱和压降的特性,还具有较强的电流承载能力,使其在多种电路中表现出色。

主要参数

  • 晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管
  • 最大集电极电流 (Ic):100mA
  • 最大集射极击穿电压 (Vce):50V
  • DC 电流增益 (hFE):在 10mA 和 5V 时,最小增益为 30。
  • 饱和压降 (Vce(sat)):在 500µA 和 10mA 时,最大饱和压降为 300mV。
  • 集电极截止电流 (Icbo):最大值为 500nA。
  • 功率最大值:150mW
  • 跃迁频率 (ft):250MHz
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装类型:EMT3F (SOT-416FL)

性能优点

DTC143EEBMGTL 的设计强调了高效能和可靠性:

  1. 高增益和低功耗:该晶体管在较低的电流条件下,依然能够维持较高的增益值(hFE),这意味着在多种电路中能够有效地放大信号,减少功耗,使其非常适合需要高效率的应用。
  2. 优良的饱和特性:较低的饱和压降使得 DTC143EEBMGTL 能够在开关操作中快速响应,这对于高频开关电源和数字电路运作至关重要。
  3. 广泛的电流和电压适用范围:最高 100mA 的集电极电流和 50V 的集射极击穿电压,确保了 DTC143EEBMGTL 能够适应大多数的电子设备,特别是用于功率控制和信号放大。

应用场景

DTC143EEBMGTL 的应用场景相当广泛,合适的应用包括但不限于:

  • 开关电源:得益于其低饱和压降和高跃迁频率,适合用于高效能的开关电源设计。
  • 放大电路:在信号处理和放大应用中,利用其高电流增益,可以有效提升信号强度。
  • 数字电路:适用于逻辑电平转换与信号驱动,尤其是在需要快速开关响应的电路设计中。
  • 传感器接口:在传感器与处理器之间提供信号放大与隔离,确保数据准确传输。

封装与安装

DTC143EEBMGTL 采用 SC-89 封装形式,其紧凑的设计使得在空间受限的电路板上能够更灵活地进行布局,适合现代电子产品对小型化的需求。表面贴装的安装方式使得自动化生产线上的焊接过程更为高效,降低了生产成本。

总结

DTC143EEBMGTL 是一款在性能和应用能力上都表现出色的 NPN 晶体管,凭借其高增益、低饱和压降及良好的热稳定性,满足了多种电子应用的需求。其紧凑的封装设计为现代电子设备的集成与小型化提供了便利。无论是在工业电子、消费电子还是通信设备中,DTC143EEBMGTL 都是一个理想的选择。