集射极击穿电压(Vceo) | 50V | 集电极电流(Ic) | 100mA |
功率(Pd) | 250mW | 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 80@5mA,5V |
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 2V@2mA,0.3V | 最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc) | 800mV@100uA,5V |
输入电阻 | 22kΩ | 电阻比率 | 2.1 |
工作温度 | -65℃~+150℃ |
PDTA124XT,215 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款 PNP 型预偏置数字晶体管,采用 SOT-23 封装,致力于在电子电路中提供高效的性能和可靠性。其宽广的应用范围包括但不限于开关电路、信号放大以及负载驱动等场景。
晶体管类型:PDTA124XT,215 是一款 PNP 型晶体管,适合需要负电压驱动的应用场合。由于其预偏置设计,能够在较低的输入电压下实现快速开关,优化了整体电路的响应性。
电流增益:在 5mA 的集电极电流 (Ic) 和 5V 的集电极电压 (Vce) 条件下,PDTA124 的 DC 电流增益 (hFE) 最小值为 80。这意味着在放大输入信号时,晶体管可以实现较高的增益特性,有助于提高信号的可用性。
饱和压降:在工作时,IC 的饱和压降 maximum 值为 150mV(在基极电流 500µA 下的 10mA 集电极电流)。这一低压降确保了在开关状态下能量损耗的最小化,从而提升了功率效率。
电流和电压承受能力:PDTA124XT,215 的集电极电流最大值可达到 100mA,同时其集射极击穿电压 (V(BR)CE) 的最大值为 50V,提升了其在不同运行环境下的稳定性和安全性。
极小的集电极截止电流:在高电压情况下,其集电极截止电流最大为 100nA (ICBO),彰显了其在静态状态下的低功耗特性,为应用系统带来更好的能效。
PDTA124XT,215采用 TO-236AB 封装 (也称 SC-59 或 SOT-23),使其具有相对较小的尺寸,便于表面贴装。该封装方案不仅减少了 PCB 板上所需的空间,同时也简化了自动化生产流程,是当前高密度电路设计的理想选择。
PDTA124XT,215 是多种电子产品和设备中不可或缺的重要组件,其具体的应用包括:
总的来说,PDTA124XT,215 是一款高性能的 PNP 型预偏置数字晶体管,凭借其优异的电气特性和小巧灵活的封装设计,为各类电子应用提供了良好的支持。从开关电路到信号放大,这款产品都充分展现了其在现代电子产业中的重要性。其高增益、低饱和压降以及优良的稳定性使其成为设计工程师的优选元器件,能够满足不同行业对高效能和高可靠性的需求。