类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 14A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 8mΩ@4.5V,14A |
功率(Pd) | 2.4W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 400mV@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 72nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 6.909nF@10V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 563pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMP2008UFG-7 是一款高性能的P沟道金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET),专为高效能电源管理和开关应用而设计。该产品由知名电子元器件制造商DIODES(美台)生产,具有卓越的导通性能和广泛的应用场景,特别适用于需要高电流和低导通电阻的场景,如电源开关、DC-DC转换器及电机驱动等。
DMP2008UFG-7 的重要规格包括:
DMP2008UFG-7 采用表面贴装型的 PowerDI3333-8 封装,这种封装不仅减小了PCB占用面积,还能有效提升散热性能,适合密集化电路设计与空间受限的场合。PowerDI封装的一大优势是其提供了较低的导热阻抗,使器件能够承受更高的功率,同时降低了因温度升高引发的可靠性问题。
DMP2008UFG-7 的高电流承载能力和低导通电阻使其适合使用于多个应用场景,包括:
综上所述,DMP2008UFG-7 是一款技术先进、性能优越的P沟道MOSFET,特别适合高电流、高效率的电子应用。其低导通电阻、宽广的电流承载能力及良好的封装设计,使其成为现代电子系统中不可或缺的重要元器件。无论是在消费电子、工业控制还是汽车应用中,DMP2008UFG-7 都能够为设计师提供极大的灵活性和可靠性,是电源设计师和工程师的优选器件。