类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 200V |
连续漏极电流(Id) | 320mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 10Ω@5V,125mA |
功率(Pd) | 2W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@1mA |
输入电容(Ciss@Vds) | 85pF@25V | 反向传输电容(Crss@Vds) | 7pF@25V |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
ZVNL120GTA 是由 Diodes Incorporated 生产的一款高性能 N 通道 MOSFET(场效应管),采用 SOT-223 封装,具有优良的电气性能和广泛的应用潜力。此器件特别设计用于高电压和中等电流的开关和放大应用,可有效满足各种工业及消费电子领域的需求。
ZVNL120GTA 采用 SOT-223 封装,适合表面贴装(SMD)技术,极大地适应现代电子设备的小型化和高密度布局的需求。SOT-223 封装还提供良好的热管理性能,有助于在高功率应用中保持器件的正常操作温度。
ZVNL120GTA 的特性使其广泛应用于以下领域:
ZVNL120GTA 是一款功能强大、性能稳定的 N 通道 MOSFET,凭借其高度的可靠性、出色的电压和电流规格,成为现代电子设计不可或缺的元件之一。无论是在消费电子、工业控制还是汽车全系列应用中,它都能提供可靠的性能和高效率的工作方式。选择 ZVNL120GTA 意味着选择了稳定、耐用和高效能的电子元器件,可以为您的设计方案提供强有力的支持。