ZXTN5551FLTA 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

ZXTN5551FLTA

商品编码: BM0084327860
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT23
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
三极管(BJT) 330mW 160V 600mA NPN SOT-23-3
库存 :
1040(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
0.679
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.679
--
200+
¥0.468
--
1500+
¥0.426
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

ZXTN5551FLTA参数

晶体管类型NPN集电极电流(Ic)600mA
集射极击穿电压(Vceo)160V功率(Pd)330mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)80@10mA,5V特征频率(fT)130MHz
集电极截止电流(Icbo)50nA集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)65mV@10mA,1mA
工作温度-55℃~+150℃

ZXTN5551FLTA手册

ZXTN5551FLTA概述

ZXTN5551FLTA 产品概述

产品简介

ZXTN5551FLTA 是一款高性能的 NPN 型三极管,特别设计用于电子电路中的开关和放大应用。其紧凑的 SOT-23-3 封装使其适合于空间受限的现代电子设备。这款三极管的最大集电极电流 (Ic) 可达 600mA,并且具有较高的集射极击穿电压 (Vce) 为 160V,使其在各种应用环境中具有较好的耐受能力。

关键特性

  • 晶体管类型: NPN
  • 最大集电极电流 (Ic): 600mA
  • 最大集射极击穿电压 (Vce): 160V
  • Vce 饱和压降: 200mV @ 5mA,50mA
  • 集电极截止电流 (ICBO): 50nA
  • DC 电流增益 (hFE): 80 @ 10mA,5V(最小值)
  • 最大功率: 330mW
  • 跃迁频率: 130MHz
  • 工作温度范围: -55°C 到 150°C
  • 封装类型: SOT-23-3

功能特点

ZXTN5551FLTA 具有出色的电性能,特别是在较高电压和电流处理方面。例如,其最大集电极电流为 600mA,足以满足大多数信号放大需求。同时,其高达 160V 的 Vce 使得该器件能够在高压环境下运行,适合用于电源开关、电机控制及其他需要高压运作的场合。此外,200mV 的饱和压降使其在开关状态下具有低能量损耗,能够提高系统效率。

应用领域

ZXTN5551FLTA 可广泛用于多种电子应用,包括:

  1. 开关电路: 由于其高集电极电流和低饱和压降,该三极管非常适合用于高效的开关电路,在各种家庭自动化和电源管理中有着广泛的应用。
  2. 信号放大: NPN 结构使其能够在音频和射频信号放大器中的应用表现良好,尤其是在需要较高频率响应的场合。
  3. 电机驱动: 适用于小型电动机和继电器驱动电路,能够有效控制高电流负载。
  4. LED 驱动器: 可以有效驱动 LED 照明系统,达到高效率和亮度的平衡。

环境适应性

该器件的工作温度范围从 -55°C 到 150°C,使其能够在极端环境下可靠工作,符合严苛应用的需求。这一特性使得 ZXTN5551FLTA 能够被应用于汽车电子、工业控制设备以及航空航天等领域。

封装与安装

ZXTN5551FLTA 采用 SOT-23-3 封装,具有小巧和轻便的特点,便于在现代的表面贴装技术中使用。此封装不仅降低了器件自身的占用空间,还减少了电路板的整体尺寸,适合于高密度布局的设备。

供应商与支持

该产品由美台电子(DIODES)出品,作为一家全球知名的半导体制造商,DIODES 提供全面的技术支持与服务,确保产品在应用中的优质表现。其优良的制造工艺及严格的质量控制,使得 ZXTN5551FLTA 在市场上获得了良好的声誉,值得客户的信赖。

总结

ZXTN5551FLTA 是一款高效能的 NPN 三极管,结合了高电流处理能力、高 Volt 工作范围、低饱和压降等多种优点,广泛应用于各种电子电路中。无论是用于开关、放大还是其他高要求的电子应用,这款产品都能提供理想的解决方案,是现代电子设计中的可靠选择。