晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 600mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 160V | 功率(Pd) | 330mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 80@10mA,5V | 特征频率(fT) | 130MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 50nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 65mV@10mA,1mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
ZXTN5551FLTA 是一款高性能的 NPN 型三极管,特别设计用于电子电路中的开关和放大应用。其紧凑的 SOT-23-3 封装使其适合于空间受限的现代电子设备。这款三极管的最大集电极电流 (Ic) 可达 600mA,并且具有较高的集射极击穿电压 (Vce) 为 160V,使其在各种应用环境中具有较好的耐受能力。
ZXTN5551FLTA 具有出色的电性能,特别是在较高电压和电流处理方面。例如,其最大集电极电流为 600mA,足以满足大多数信号放大需求。同时,其高达 160V 的 Vce 使得该器件能够在高压环境下运行,适合用于电源开关、电机控制及其他需要高压运作的场合。此外,200mV 的饱和压降使其在开关状态下具有低能量损耗,能够提高系统效率。
ZXTN5551FLTA 可广泛用于多种电子应用,包括:
该器件的工作温度范围从 -55°C 到 150°C,使其能够在极端环境下可靠工作,符合严苛应用的需求。这一特性使得 ZXTN5551FLTA 能够被应用于汽车电子、工业控制设备以及航空航天等领域。
ZXTN5551FLTA 采用 SOT-23-3 封装,具有小巧和轻便的特点,便于在现代的表面贴装技术中使用。此封装不仅降低了器件自身的占用空间,还减少了电路板的整体尺寸,适合于高密度布局的设备。
该产品由美台电子(DIODES)出品,作为一家全球知名的半导体制造商,DIODES 提供全面的技术支持与服务,确保产品在应用中的优质表现。其优良的制造工艺及严格的质量控制,使得 ZXTN5551FLTA 在市场上获得了良好的声誉,值得客户的信赖。
ZXTN5551FLTA 是一款高效能的 NPN 三极管,结合了高电流处理能力、高 Volt 工作范围、低饱和压降等多种优点,广泛应用于各种电子电路中。无论是用于开关、放大还是其他高要求的电子应用,这款产品都能提供理想的解决方案,是现代电子设计中的可靠选择。