类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 4.5A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 110mΩ@10V,4.5A |
功率(Pd) | 1.5W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 19.4nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.03nF@30V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 38.7pF@30V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMP6110SSS-13 产品概述
DMP6110SSS-13 是一款高性能的 P 通道 MOSFET:它具有良好的电气特性和广泛的工作环境适应性,适合于多种电子应用场合。这款器件由美台(DIODES)公司制造,采用二次封装技术,以其紧凑的 SO-8 封装形式为用户提供了简便的安装和更高的系统集成度。
FET 类型: DMP6110SSS-13 是一款 P 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),具有较高的效率和良好的热性能。
漏源电压(Vdss): 该器件的额定漏源电压可达到 60V,适用于多种高压应用场合。
最大驱动电压: 该 MOSFET 的最大 Rds(on) 值分别在 4.5V 和 10V 驱动电压下提供,显示出其在较低门电压下的良好导通性能。
导通电阻(Rds(on)): 在 4.5A 和 10V 的条件下,该器件的导通电阻最大值为 110 毫欧,保证了在额定负载下的低功耗和高效能操作。
栅极阈值电压(Vgs(th)): 该器件的 Vgs(th) 最大值为 3V @ 250µA,显示了其在较小电压下能够快速导通的能力。
栅极电荷(Qg): 在 Vgs 为 10V 时,栅极电荷最大值为 19.4nC,这对于高速开关应用来说是一个重要参数。
工作温度范围: DMP6110SSS-13 能够在 -55°C 到 150°C 的广泛温度范围内正常工作,使其适合于严酷的环境条件。
功率耗散: 最大功率耗散为 1.5W,便于用户在设计电路时考虑散热问题。
由于其优越的参数和可靠性,DMP6110SSS-13 被广泛应用于:
DMP6110SSS-13 封装采用 SO-8,具有 3.90mm 宽的特点,适合表面贴装技术(SMD),能够有效节省板面积,满足现代电子产品对小型化和高密度布线的需求。其表面贴装设计使得在自动化制造过程中更加方便简洁,也提高了组装的可靠性。
总体而言,DMP6110SSS-13 是一款性能优越、具有广泛适用性的 P 通道 MOSFET,适合多种苛刻的应用环境。其低导通电阻、合适的阈值电压、宽温度范围和实用的封装选择,使其成为电子设计工程师的理想选择。无论是在电源管理还是在汽车和工业应用中,DMP6110SSS-13 都展现出极大的潜力和价值,为用户带来了优秀的性能,满足了高效率、高可靠性的设计需求。