类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 230mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 8Ω@10V,375mA |
功率(Pd) | 700mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@1mA |
输入电容(Ciss@Vds) | 100pF@25V | 反向传输电容(Crss@Vds) | 10pF@25V |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
ZVP2110A 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 P 通道 MOSFET。在现代电子设备中,MOSFET 扮演着关键角色,特别是在开关电源、功率放大器和电机控制等应用中。ZVP2110A 的设计具有低功耗、高效率和广泛的工作范围,适合用于多种电子电路。
ZVP2110A 采用先进的 MOSFET 技术,提供优良的导通特性和热管理能力。它的 8Ω 导通电阻使其在高电流应用中尤为高效,能够显著降低功率损耗。此外,由于其较高的漏源电压能力(100V),它广泛适用于高压电路。
该器件的阈值电压 Vgs(th) 最大为 3.5V,允许在较低电压下实现有效的开关操作,非常适合低功耗电路设计。它的 Vgs 最大值为 ±20V,增加了电路设计中的灵活性,使其可以应用于多种电气环境中。
ZVP2110A 由于其优良的性能,适用于多种行业和应用领域,包括但不限于:
ZVP2110A 采用 TO-92-3 形式的封装,具备良好的散热性能和易于通过通孔安装的特点。这种封装方式适合手工焊接和自动化生产,方便设计师在电路板上的布局和组装。
ZVP2110A 是一款功能强大、应用广泛的 P 通道 MOSFET,适合各种高效电子应用。其出色的电流承载能力、低导通电阻以及广泛的工作温度范围使其成为设计现代高性能电源和控制电路的理想选择。无论是在工业应用还是消费电子中,ZVP2110A 都可以满足对高效、节能和可靠性日益增长的要求。对电子设计师而言,选择 ZVP2110A 将为其产品的创新和性能提升带来极大的帮助。