晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 200mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 400V | 功率(Pd) | 1W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 100@1mA,10V | 特征频率(fT) | 50MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 200mV@20mA,2mA |
工作温度 | -55℃~+200℃ |
ZTX558 是由 Diodes Incorporated 生产的一款高性能 PNP 晶体管,其设计为高电压和中功率应用而开发。该晶体管以 E-Line 封装(兼容 TO-92)形式提供,具有良好的散热性能和高集电极电流能力,使其在宽广的工业和消费类电子领域中非常适用。ZTX558 的工作温度范围广泛,适应苛刻的环境条件,最高可达 200°C。
ZTX558 晶体管因其卓越的性能与广泛的应用场景,特别适合于:
ZTX558 是一款功能强大且灵活的 PNP 晶体管,适用范围广泛,是设计高效电路的理想选择。其出色的性能特征和高可靠性使其成为音频放大器、开关电源和信号放大的重要组件。通过使用 ZTX558,工程师可以在多种电气设计中实现更高的效率和稳定性,无论是在消费电子、工业应用或其他技术领域。选择 ZTX558,您将体验到领先技术带来的实际价值与创新能力。