FET 类型 | 2 N-通道(双) | FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss) | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.8A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 25 毫欧 @ 6.5A,4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 18.6nC @ 8V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1171pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 1.2W | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SO |
DMN2029USD-13 是一款由美台(DIODES)公司生产的 N-通道 MOSFET,具有双通道配置,专为高速开关和功率管理应用而设计。其主要特点是高效的电流处理能力、低导通电阻以及广泛的工作温度范围,使其成为各种电子电路中的理想选择。本型号 MOSFET 在 25°C 环境下,最大连续漏极电流(Id)可以达到 5.8A,漏源电压(Vdss)可承受高达 20V 的工作环境,提供稳定的性能并确保电路的可靠性。
电气特性:
电容特性:
环境和安装:
DMN2029USD-13 适合广泛的应用领域,包括但不限于:
综上所述,DMN2029USD-13 是一款高性能的 N-通道 MOSFET,结合了低导通电阻、高电流处理能力以及宽广的工作温度范围,适用于多种场合。其设计优化使其在电力效率和热管理方面表现突出,是现代电子设备中不可或缺的元器件选择。借助该器件,工程师可以设计出更高效、稳定的电源和开关电路,从而推动电子技术的进一步发展与应用。