DMN2029USD-13 产品实物图片
DMN2029USD-13 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DMN2029USD-13

商品编码: BM0084327908
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SO-8
包装 : 
编带
重量 : 
0.113g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.2W 20V 5.8A 2个N沟道 SO-8
库存 :
2390(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
1.27
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.27
--
100+
¥0.971
--
1250+
¥0.823
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

DMN2029USD-13参数

FET 类型2 N-通道(双)FET 功能逻辑电平门
漏源电压(Vdss)20V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)5.8A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)25 毫欧 @ 6.5A,4.5V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)18.6nC @ 8V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1171pF @ 10V
功率 - 最大值1.2W工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装8-SO

DMN2029USD-13手册

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DMN2029USD-13概述

DMN2029USD-13 产品概述

一、概述

DMN2029USD-13 是一款由美台(DIODES)公司生产的 N-通道 MOSFET,具有双通道配置,专为高速开关和功率管理应用而设计。其主要特点是高效的电流处理能力、低导通电阻以及广泛的工作温度范围,使其成为各种电子电路中的理想选择。本型号 MOSFET 在 25°C 环境下,最大连续漏极电流(Id)可以达到 5.8A,漏源电压(Vdss)可承受高达 20V 的工作环境,提供稳定的性能并确保电路的可靠性。

二、主要参数

  1. 电气特性

    • Vdss:最大漏源电压为 20V,适合多种中低电压应用。
    • Id (连续漏极电流):在 25°C 时最大可达 5.8A,能高效传输电流。
    • 导通电阻(RDS(on)):导通电阻最大值为 25mΩ,@ 6.5A、4.5V 条件下表现出色,有助于减少功耗和热量发散。
    • Vgs(th):阈值电压达到最大 1.5V(@ 250µA),提升了开关控制的灵敏度。
    • Qg(栅极电荷):最大栅极电荷量为 18.6nC,@ 8V,优化了驱动开关所需的能量,从而提高了开关频率。
  2. 电容特性

    • Ciss (输入电容):最大输入电容为 1171pF,@ 10V,确保高频操作时的快速响应。
  3. 环境和安装

    • 工作温度范围:-55°C 至 150°C,能够在极端温度条件下保持稳定性能,这使得该器件非常适合高温和低温环境应用。
    • 功率最大值:1.2W,在功率限制内可有效工作,适合低功耗设计。
    • 安装类型:表面贴装型(SMD),简化了PCB板的设计和布局,减少了元器件间的干扰。

三、应用场景

DMN2029USD-13 适合广泛的应用领域,包括但不限于:

  • 开关电源:可用作开关管,提高开关电源效率。
  • 电动机驱动:在电机控制电路中,作为驱动开关元件以控制电机的启停和速度。
  • 电池管理系统:可用于电流监测和控制,提高电池管理系统的安全性和性能。
  • LED驱动器:因其低导通电阻和高开关效率,适合应用于LED驱动电路。
  • 消费电子产品:因封装小巧、性能优良,适合手机、平板电脑等消费设备中的电源管理。

四、总结

综上所述,DMN2029USD-13 是一款高性能的 N-通道 MOSFET,结合了低导通电阻、高电流处理能力以及宽广的工作温度范围,适用于多种场合。其设计优化使其在电力效率和热管理方面表现突出,是现代电子设备中不可或缺的元器件选择。借助该器件,工程师可以设计出更高效、稳定的电源和开关电路,从而推动电子技术的进一步发展与应用。