
| 数量 | 2个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@2.5V,5.4A |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.4nC@4.5V | 输入电容(Ciss) | 1.171nF@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF@10V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMN2029USD-13 是一款由美台(DIODES)公司生产的 N-通道 MOSFET,具有双通道配置,专为高速开关和功率管理应用而设计。其主要特点是高效的电流处理能力、低导通电阻以及广泛的工作温度范围,使其成为各种电子电路中的理想选择。本型号 MOSFET 在 25°C 环境下,最大连续漏极电流(Id)可以达到 5.8A,漏源电压(Vdss)可承受高达 20V 的工作环境,提供稳定的性能并确保电路的可靠性。
电气特性:
电容特性:
环境和安装:
DMN2029USD-13 适合广泛的应用领域,包括但不限于:
综上所述,DMN2029USD-13 是一款高性能的 N-通道 MOSFET,结合了低导通电阻、高电流处理能力以及宽广的工作温度范围,适用于多种场合。其设计优化使其在电力效率和热管理方面表现突出,是现代电子设备中不可或缺的元器件选择。借助该器件,工程师可以设计出更高效、稳定的电源和开关电路,从而推动电子技术的进一步发展与应用。