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DMN2029USD-13

- 商品编码: BM0084327908复制
- 品牌: DIODES(美台)复制
- 封装: SO-8复制
- 包装: 编带复制
- 重量: 0.113g复制
- 描述: 场效应管(MOSFET) 1.2W 20V 5.8A 2个N沟道复制
DMN2029USD-13参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 数量 | 2个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@2.5V |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.4nC@4.5V |
| 输入电容(Ciss) | 1.171nF |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMN2029USD-13手册
DMN2029USD-13概述
DMN2029USD-13 产品概述
一、概述
DMN2029USD-13 是一款由美台(DIODES)公司生产的 N-通道 MOSFET,具有双通道配置,专为高速开关和功率管理应用而设计。其主要特点是高效的电流处理能力、低导通电阻以及广泛的工作温度范围,使其成为各种电子电路中的理想选择。本型号 MOSFET 在 25°C 环境下,最大连续漏极电流(Id)可以达到 5.8A,漏源电压(Vdss)可承受高达 20V 的工作环境,提供稳定的性能并确保电路的可靠性。
二、主要参数
电气特性:
- Vdss:最大漏源电压为 20V,适合多种中低电压应用。
- Id (连续漏极电流):在 25°C 时最大可达 5.8A,能高效传输电流。
- 导通电阻(RDS(on)):导通电阻最大值为 25mΩ,@ 6.5A、4.5V 条件下表现出色,有助于减少功耗和热量发散。
- Vgs(th):阈值电压达到最大 1.5V(@ 250µA),提升了开关控制的灵敏度。
- Qg(栅极电荷):最大栅极电荷量为 18.6nC,@ 8V,优化了驱动开关所需的能量,从而提高了开关频率。
电容特性:
- Ciss (输入电容):最大输入电容为 1171pF,@ 10V,确保高频操作时的快速响应。
环境和安装:
- 工作温度范围:-55°C 至 150°C,能够在极端温度条件下保持稳定性能,这使得该器件非常适合高温和低温环境应用。
- 功率最大值:1.2W,在功率限制内可有效工作,适合低功耗设计。
- 安装类型:表面贴装型(SMD),简化了PCB板的设计和布局,减少了元器件间的干扰。
三、应用场景
DMN2029USD-13 适合广泛的应用领域,包括但不限于:
- 开关电源:可用作开关管,提高开关电源效率。
- 电动机驱动:在电机控制电路中,作为驱动开关元件以控制电机的启停和速度。
- 电池管理系统:可用于电流监测和控制,提高电池管理系统的安全性和性能。
- LED驱动器:因其低导通电阻和高开关效率,适合应用于LED驱动电路。
- 消费电子产品:因封装小巧、性能优良,适合手机、平板电脑等消费设备中的电源管理。
四、总结
综上所述,DMN2029USD-13 是一款高性能的 N-通道 MOSFET,结合了低导通电阻、高电流处理能力以及宽广的工作温度范围,适用于多种场合。其设计优化使其在电力效率和热管理方面表现突出,是现代电子设备中不可或缺的元器件选择。借助该器件,工程师可以设计出更高效、稳定的电源和开关电路,从而推动电子技术的进一步发展与应用。
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