晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 1.5A |
集射极击穿电压(Vceo) | 45V | 功率(Pd) | 12.5W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 25@150mA,2V | 集电极截止电流(Icbo) | 10uA |
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@0.5A,0.05A | 工作温度 | -65℃~+150℃ |
BD135是一款高性能NPN型晶体管,专为低功耗和高频率开关应用而设计。其主要特点包括较高的集电极电流(Ic)最大值为1.5A和集射极击穿电压(Vce)最大值为45V,使其成为多种电气和电子设备中的理想选择。该器件的最大功率为1.25W,并且能够在高达150°C的结温下正常工作,这使得其在严苛的环境条件下可靠性增强。
BD135广泛应用于各种电子和电气设备中,其应用领域包括但不限于:
在为项目选择BD135时,设计师需考虑以下几个因素以确保最佳性能:
BD135是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的产品,凭借该品牌在半导体市场的优秀声誉,BD135可确保高品质和房可信性。同时,专用的SOT-32-3封装设计使得BD135易于集成到密集的电路中,节省了PCB空间。
BD135是一款结合了高性能和广泛应用的NPN晶体管,适合于电源管理、信号放大及电机驱动等多个领域。在设计使用时,所需的电流增益、饱和压降等特性将有助于提高电路的可靠性和效率。凭借其卓越的工作温度范围和封装选择,BD135无疑是现代电子应用中值得信赖的元器件之一。