晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 5A |
集射极击穿电压(Vceo) | 60V | 功率(Pd) | 1.2W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 100@2A,1V | 特征频率(fT) | 130MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 50nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 200mV@5A,200mA |
工作温度 | -55℃~+200℃@(Tj) |
ZTX851是一款由Diodes Incorporated制造的高性能NPN晶体管,属于有源元器件家族。其设计标准严格,适用于广泛的应用场景,尤其是在要求较高的功率和电流条件下。ZTX851以其卓越的电气特性和优良的热稳定性,在电子设计和电路应用中受到广泛青睐。该组件采用通孔安装方式,以E-Line-3(兼容TO-92)的封装形式提供,便于组件布局和散热管理。
类型与封装
电气特性
频率响应与热特性
功率处理能力
ZTX851的广泛电气特性使其适合于多种应用,包括但不限于:
综上所述,ZTX851是一款多功能的NPN晶体管,以其卓越的性能、广泛的工作范围和良好的环境适应能力,满足了现代电子产品对高效能、低能耗及高可靠性的需求。无论是在低频应用还是高频应用中,ZTX851都能出色完成其任务,是电子设计师和工程师们值得信赖的选择。选择ZTX851,可以为您的设计提供持久稳定的性能和高效的电能管理。