类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 280mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 5Ω@10V,500mA |
功率(Pd) | 700mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@1mA |
输入电容(Ciss@Vds) | 100pF@18V | 反向传输电容(Crss@Vds) | 20pF@18V |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
ZVP2106A是一款高性能的P沟道MOSFET(绝缘栅场效应晶体管),它具有优异的电气特性和可靠性,专为需要高电流和高电压的应用而设计。采用TO-92封装,ZVP2106A在广泛的工作温度范围内运行,适合于各种电子设备中的开关和放大电路。
ZVP2106A采用TO-92封装,极小的体积使其非常适合空间有限的应用。作为通孔安装组件,它易于集成入各种电路板设计中。这种封装形式不仅便于加工,亦为散热提供了良好的条件,保证器件在高功率下的稳定运行。
ZVP2106A的应用广泛,可以广泛用于如下几个领域:
作为DIODES旗下的产品,ZVP2106A通过严格的质量控制标准,其性能在可靠性和效率方面都得到了保证。当用于实际电路时,可以有效降低功耗、提高系统效率,并且其宽广的工作温度范围保障了设备的稳定性。这些特性使得ZVP2106A在各种应用中都能展现出优越的性能,以及超强的适应能力。
ZVP2106A是一款理想的P沟道MOSFET,凭借其优秀的电气特性和多样的应用潜力,成为设计师和工程师在电子设备设计中的优选元器件。无论是医用设备、工业控制,还是消费电子产品,ZVP2106A都能提供可靠的性能与高效的解决方案,是现代电子设计中不可或缺的一部分。