SI7117DN-T1-GE3

SI7117DN-T1-GE3 产品概述

引言

SI7117DN-T1-GE3 是一款高性能的 P 通道 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），由知名电子元件供应商 VISHAY（威世）推出。该器件采用 TrenchFET® 技术，专为满足高压、高效率和高频应用需求而设计。它的额定漏源电压为150V，最大连续漏极电流为2.17A，具有优良的导通特性和低功耗特性，是现代电源管理、电动汽车、快充和大功率电源等领域的理想选择。

基本参数

1. 器件类型: P-MOSFET

   • SI7117DN-T1-GE3 属于 P 通道 MOSFET，这种类型的场效应晶体管具有更高效的开关特性，适用于反向电流应用。

2. 技术: MOSFET（TrenchFET® 技术）

   • TrenchFET® 技术作为 VISHAY 的一项核心技术，利用创新的半导体结构设计，降低了导通电阻（Rds On），从而提高了器件的效率和可靠性。

3. 电气特性:

   • 漏源电压（Vdss）: 150V
   • 最大连续漏极电流（Id）: 2.17A（在 Tc 的环境条件下）
   • 驱动电压: 6V（最小），10V（最大）
   • 导通电阻（Rds On）: 1.2Ω 在 Id 为500mA和Vgs为10V时
   • 阈值电压（Vgs(th)）: 最大值为4.5V（在250µA时）
   • 栅极电荷（Qg）: 最大值为12nC（在10V的驱动条件下）

4. 工作温度范围:

   • -55°C 到 150°C，适应各种恶劣环境，确保设备的稳定运行。

5. 功率性能:

   • 功率耗散: 最大值为3.2W（在 Ta 条件下），12.5W（在 Tc 条件下），适用于复杂和高负载的应用场景。

6. 封装和尺寸:

   • 封装类型: PowerPAK® 1212-8，具有优秀的散热性能和小尺寸，适合表面贴装工艺。

应用场景

SI7117DN-T1-GE3 完美契合多个高要求的应用，尤其是在以下领域表现突出：

• 电源管理: 这一 MOSFET 可被广泛应用于电源转换器、DC-DC 变换器、开关电源等设备中，通过其低导通电阻和高电流承载能力，降低功耗并提高系统效率。

• 电动汽车: 在电动车辆中，SI7117DN-T1-GE3 作为高压开关元件，可以有效控制电动车的电动机，从而提高电动机的启动和运行效率。

• 快充技术: 随着快充技术的普及，SI7117DN-T1-GE3 可以用于充电桩和快充装置，有效提升充电速度的同时，保障充电安全。

• 大功率电源: 该 MOSFET 可以在大功率电源模块中作为主开关或辅助开关，提高系统的稳压和电流管理能力。

总结

SI7117DN-T1-GE3 是一款高性能的 P 通道 MOSFET，凭借其卓越的电气特性、宽广的工作温度范围和小巧的封装设计，广泛应用于电源管理、电动汽车和快充设备等多个领域。凭借 VISHAY 品牌的先进技术和可靠性，该 MOSFET 是现代工程师在设计高效能设备时的重要选择。随着科技的不断进步，SI7117DN-T1-GE3 将为各种创新应用提供坚实的支持。