DMT4011LFG-7
DMT4011LFG-7参数
| 类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 11.5mΩ@10V,30A |
| 功率(Pd) | 2W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 15.1nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 767pF@20V |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 30.6pF@20V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMT4011LFG-7手册
DMT4011LFG-7概述
DMT4011LFG-7 产品概述
DMT4011LFG-7 是一款高性能的N沟道MOSFET（场效应晶体管），专为多种电子应用设计。该器件由著名的美台（DIODES）品牌生产，具有卓越的电气特性和可靠性，非常适合用于高效能电源管理、开关电源、DC-DC变换器等领域。
主要特性与规格
结构类型: DMT4011LFG-7 是一种N通道MOSFET，这种类型的晶体管相对于P通道MOSFET，表现出更低的导通电阻，从而在高电流应用中具有更高的导电效率。
漏源电压 (Vdss): 本器件的漏源电压为40V，这个特性使其能够在高电压环境下稳定工作，广泛应用于电源转换和电机驱动等场景。
连续漏极电流 (Id): DMT4011LFG-7 具备30A的连续漏极电流能力，适合大功率应用，并且在25°C环境温度下有着出色的散热性能。
驱动电压: 本器件的驱动电压规格为4.5V至10V，提供灵活的驱动方式以适应不同的电路需求。在10V的驱动电压条件下，该器件的Rds(on)表现出较低的导通电阻，最大值为11毫欧，确保高效率的电能传输。
阈值电压 (Vgs(th)): DMT4011LFG-7 的阈值电压最大为3V，这意味着在巨大电流下，栅极仅需较低的电压即可开启，从而降低功耗并提升整体效率。
栅极电荷 (Qg): 此器件的栅极电荷为15.1nC，具有较低的驱动功耗，为高频开关应用提供了良好的性能。
输入电容 (Ciss): DMT4011LFG-7的输入电容最大值为767pF，合理的输入电容值使其在开关过程中具备良好的恢复性能。
功率耗散: 最大功耗可达到15.6W，提供了良好的热管理能力，确保在高功率应用下可靠工作。
工作温度范围: 该器件的工作温度范围为-55°C到150°C，能够在极端温度环境下稳定运行，适合用于工业、汽车及军事等高要求的应用场景。
安装类型与封装: DMT4011LFG-7采用表面贴装型设计，封装型号为PowerDI3333-8。这种小型封装不仅节省了空间，还可以提高散热性能，方便集成到高密度电路板中。
应用场景
DMT4011LFG-7 适用于多种电子产品和系统，包括但不限于：
- 开关电源：在提供高功率转换效率的同时降低热损耗。
- DC-DC转换器：用于电源管理方案，支持各种电压转换需求。
- 电机驱动：在工业和汽车应用中，可作为驱动电机的关键部件。
- 高频开关电路：其低栅极电荷和输入电容特性使其在高频应用中表现卓越。
- 电池管理系统：在锂电池充放电过程中，帮助提高整体效率与安全性。
结论
DMT4011LFG-7 N通道MOSFET以其优秀的电气特性与广泛的应用场景，成为下游市场的热门选择。无论是在高功率电源管理还是高频开关应用中，其卓越的性能将为设计者提供高效、可靠的解决方案。通过选择DMT4011LFG-7，您可以为您的项目带来出色的表现与竞争优势。