类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 12V |
连续漏极电流(Id) | 8A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 16mΩ@4.5V,2A |
功率(Pd) | 700mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 6.4nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 515pF@6V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 121pF@6V | 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
DMN1014UFDF-13 是一款由美台(DIODES)公司生产的高性能N沟道MOSFET,专为中低功率应用设计。其主要特点包括较低的导通电阻、高速开关能力,以及良好的热性能。适用于各种电源管理、开关电源、马达驱动及高频电路等应用场景。
DMN1014UFDF-13的核心参数包括:
该MOSFET采用表面贴装型封装,型号为U-DFN2020-6(F类),其裸露焊盘设计便于在PCB板上进行焊接。该封装不仅紧凑,还有助于降低寄生电容和电感,从而改善高频响应性。其结构设计也确保了在高功率应用下的热管理性能,这对于延长器件的使用寿命至关重要。
DMN1014UFDF-13适用于多个领域的应用,主要包括:
DMN1014UFDF-13是一款采用现代设计理念和高性能材料的N通道MOSFET,凭借其优越的电气性能和热性能,成为多种电源管理及驱动应用的理想选择。适用于对功率、效率和可靠性有较高要求的现代电子设计,能够有效满足客户的多样化需求。在电源转换和电机控制领域的应用前景广阔,是工程师设计高效电路时的重要考虑元件。