类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 3.3A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 95mΩ@10V,3.8A |
功率(Pd) | 1.1W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 6.5nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 254pF@15V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 7pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
产品简介
DMC3071LVT-7是一款由DIODES(美台)公司出品的高性能互补型场效应管(MOSFET),专为需要高效能和低导通阻抗的应用场合而设计。该器件采用TSOT-26封装,具有优异的热性能和电气特性,能够在较高温度和电压范围内稳定工作。其适用于多种电子电路,包括功率转换、开关电源、负载驱动和其他需要高频开关的应用。
基本参数
DMC3071LVT-7包括N沟道和P沟道互补型MOSFET,具有以下关键参数:
电气特性
DMC3071LVT-7具有较低的栅极电荷(Qg),在10V驱动下,N沟道的Qg最大为4.5nC,而P沟道为6.5nC。这一特性使得其在高频应用中具备更快的开关速度,降低了开关损耗。此外,输入电容(Ciss)在15V下,N沟道最大为190pF,P沟道为254pF,为设计人员提供了更大的灵活性和优良的响应特性。
功率与温度
该器件的最大功率为700mW,适用于要求高功率处理能力的场合。工作温度范围极为宽广,从-55°C到150°C(TJ)保证了器件在各种严苛环境下的可靠性和稳定性。无论是极端高温还是低温应用,DMC3071LVT-7都能提供高效的性能表现。
应用场景
DMC3071LVT-7主要适用于以下场景:
结论
DMC3071LVT-7是一款功能全面的MOSFET产品,凭借其低导通电阻、宽广的工作温度范围、快速的开关特性和优异的稳态性能,成为各种电子设备的理想选择。设计工程师在选择MOSFET时,可适从其可靠性、效率和性能,判断其是否适合特定的应用场合。此外,优质的表面贴装型封装(TSOT-26)使得该器件易于集成到现代电子设备中,提高了生产效率并降低了空间占用。