DMP1070UCA3-7

产品概述：DMP1070UCA3-7

概述

DMP1070UCA3-7 是由美台（DIODES）公司生产的一款高性能 P 通道 MOSFET（场效应晶体管），具备卓越的电气特性和可靠性设计，适用于多种应用场景。这款器件的漏源电压（Vdss）达到 12V，具备高达 3.6A 的连续漏极电流（Id），展现出优秀的功率处理能力和性能稳定性。它采用了表面贴装型（SMD）封装，适合现代电子设备的小型化设计需求。

主要特性

1. FET 类型：DMP1070UCA3-7 属于 P 通道 MOSFET，广泛应用于电源管理和开关电路设计中。

2. 技术：利用先进的金属氧化物技术（MOSFET），实现较低的导通电阻和电源损耗。

3. 电气特性：

   • 漏源电压（Vdss）：最大可达 12V，满足中小功率电源的需求。
   • 连续漏极电流（Id）：3.6A，确保在不同工作条件下的稳定性。
   • 导通电阻（Rds(on)）：在 4.5V 驱动电压下，最大 Rds(on) 为 70mΩ，极大提升了开关效率和降低了能量损耗。

4. 栅极驱动电压：在 1.5V 和 4.5V 驱动电压下，可实现最佳性能，为电路设计师提供灵活的应用选项。

5. 阈值电压（Vgs(th)）：最大值为 0.95V @ 250µA，确保在较低的驱动电压下即可快速启动，提高了电路的响应速度。

6. 栅极电荷：最大栅极电荷（Qg）为 1.45nC @ 4.5V，表明其在高频开关中的表现良好。

7. 输入电容（Ciss）：在 6V 下的最大输入电容为 147pF，适合高速开关应用。

8. 功率耗散：最大功率耗散能力为 710mW，在确保高效运行的同时，减少热量生成，提升器件的使用寿命。

9. 工作温度范围：DMP1070UCA3-7 具备宽广的工作温度范围，从 -55°C 到 150°C，适用于各种工业和极端环境应用。

10. 封装类型：采用 X4-DSN0607-3 表面贴装封装，体积小巧，可满足现代电子设计中对空间的挑战。

应用场景

DMP1070UCA3-7 适用于各种应用，包括但不限于：

• DC-DC 转换器
• 电源管理模块
• 开关电源
• 电池管理系统
• 驱动电路
• 负载开关应用

总结

凭借其出色的电性能和广泛的适用性，DMP1070UCA3-7 MOSFET 是现代电子设计中不可或缺的元器件之一。它不仅提供了优异的导通特性和低功率损耗，还具备一定的温度和电压容忍度，为工程师在设计和开发过程中提供了更大的灵活性和安全保障。无论是在消费电子还是工业自动化领域，DMP1070UCA3-7 显示出卓越的应用价值，助力于实现高效、可靠的电子产品设计。

如需进一步了解 DMP1070UCA3-7 的详细信息或规格参数，建议访问美台（DIODES）官方网站或查阅相关资料。该MOSFET 的高性能特性将助您在未来的设计中取得成功。