晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 800mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 45V | 功率(Pd) | 310mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 250@100mA,1V | 特征频率(fT) | 100MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 20nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@100mA,10mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
产品简介
BCW66HQTA 是一款高性能的 NPN 结型晶体管,专为各种电子应用而设计。该器件由著名半导体制造商 DIODES 生产,采用 SOT-23 封装,具有紧凑的尺寸和优异的电气性能,使其在现代电子工程领域中广受欢迎。BCW66HQTA 特别适用于中低功率放大器、开关电路以及其他需要快速响应的应用。其卓越的参数使其在音频处理、高频通信以及便携式设备中表现出色。
核心参数
晶体管类型:BCW66HQTA 是 NPN 型晶体管,内部结构采用标准的双极型结晶体管设计,适合用于增益和开关功能。
电流和电压:
饱和压降:
截止电流和增益:
功率和频率:
工作温度范围:
封装与安装:
应用领域
BCW66HQTA 的性能特征使其适用于多个领域,包括但不限于:
结论
BCW66HQTA 是一款具有高灵活性和广泛应用前景的 NPN 型结晶体管。其出色的性能指标和广泛的工作温度范围使其成为多种电子设计项目的理想选择。是否进行音频放大、信号开关或功率管理,BCW66HQTA 提供了优秀的解决方案,是现代电子设计中不可或缺的重要元件。无论是用于专业工程还是电子爱好者实验,BCW66HQTA 均能满足严格的技术需求和性能标准。