晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 100mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 45V | 功率(Pd) | 300mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 200@2.0mA,5V | 特征频率(fT) | 340MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 15nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 70mV@10mA,0.5mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
DST857BDJ-7 是一款高性能的双极型晶体管(BJT),采用PNP结构,特别适用于多种电子电路中的信号放大和开关应用。该器件由著名品牌DIODES(美台)制造,采用SOT-963封装,具有较小的体积和良好的热性能,适合表面贴装。其工作温度范围广泛,从-55°C到150°C,表明其适用性强,能够在各种恶劣环境中长期稳定工作。
DST857BDJ-7 由于其高频特性、出色的电流增益和较小的饱和压降,广泛应用于以下领域:
DST857BDJ-7 是一款功能强大的PNP双极型晶体管,其出色的电气性能和广泛的应用场景,使其成为电子设计师与工程师的理想选择。通过有效地在各类设备中进行信号放大与控制,DST857BDJ-7 将帮助客户实现更高性能、高效能的电子产品设计。随着技术的不断进步和创新需求的增加,该器件的可靠性与适应性无疑为其在未来的发展增添了更多的可能性。无论是消费电子、通信、工业控制还是医疗设备,DST857BDJ-7 都能为您的设计提供关键支持。