晶体管类型 | 1个NPN,1个PNP-预偏置 | 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
集电极电流(Ic) | 100mA | 功率(Pd) | 150mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 100@1mA,5V |
产品简介: DCX114TH-7是一款高性能的数字晶体管,采用SOT-563封装,集成了一个NPN晶体管和一个PNP晶体管,额定功率为150mW,适用于各种数字开关和模拟应用。该器件特别适合嵌入式设计及信号处理电路,具有绝佳的频率响应特性和小型化的安装形式,满足现代电子设计对体积和性能的双重需求。
电气特性: DCX114TH-7设计用于承受最大集电极电流(Ic)为100mA,集射极击穿电压(Vce)最大为50V。这使得DCX114TH-7在电源开关、信号放大及开关电路中表现出色。其最小直流电流增益(hFE)值为100,确保了在1mA的基极电流下能够有效驱动负载。该器件的饱和压降(Vce(sat))最大值为300mV(在100µA至1mA电流下),为设计提供了出色的功耗特性。
工作频率与开关特性: DCX114TH-7的跃迁频率高达250MHz,适用于高频应用,确保信号的有效传递和快速开关操作。这一特性特别适合于频率需求较高的高频数字电路和射频电路,使得此晶体管在这些应用场景中表现优越。
基极偏置和电流截止特性: 该器件的基极电阻(R1)为10千欧,在需要精确偏置电路时可以提供良好的控制,同时其集电极截止电流(ICBO)最大值仅为500nA,确保了在非导通状态下能有效降低功耗,提高电路的整体效率。
封装及安装类型: DCX114TH-7采用SOT-563和SOT-666表面贴装型封装,具有优良的散热性能及小型化设计,有助于提高电路板的密度,同时便于自动化焊接和大规模生产,这对于现代电子设备的设计至关重要。
应用领域: DCX114TH-7广泛应用于消费电子产品、计算机及外围设备、工业自动化设备、汽车电子和通信设备等领域。其高集电极电流能力和低饱和压降的特性使其成为启闭电路、信号调理、开关电源和负载驱动等多种应用的理想选择。
总结: DCX114TH-7是一款高性价比、高集成度的数字晶体管,通过优化的电流增益、饱和压降和高频响应,能够满足现代电子设计的各类需求。作为DIODES(美台)公司的一款重要产品,DCX114TH-7凭借其卓越的性能和小巧的封装,将为工程师在设计中提供更多的灵活性和选择。无论是在高频应用还是低功耗设计中,DCX114TH-7都能成为理想的解决方案。