DMN60H080DS-7

产品概述: DMN60H080DS-7

引言

DMN60H080DS-7 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，专为需要高电压和适度电流应用而设计。该器件具有600V的漏源电压（Vdss）和80mA的连续漏极电流（Id），适合多种电力管理和开关应用。它采用表面贴装型（SMD）封装，封装类型为SOT-23-3，提供紧凑的解决方案，适合空间受限的电路板。

技术参数

• FET 类型: N 通道
• 技术: MOSFET
• 漏源电压（Vdss）: 600V
• 25°C 下的连续漏极电流 (Id): 80mA
• 驱动电压（最大 Rds On、最小 Rds On）: 4.5V, 10V
• 导通电阻（Rds(on)）最大值: 100Ω @ 60mA, 10V
• 栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值: 3V @ 250µA
• 栅极电荷（Qg）最大值: 1.7nC @ 10V
• 栅源电压（Vgs）最大值: ±20V
• 输入电容（Ciss）最大值: 25pF @ 25V
• 功率耗散最大值: 1.1W (Ta)
• 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
• 封装: SOT-23-3

功能与应用

DMN60H080DS-7 适用于多个应用，如：

1. 电源管理: 该MOSFET在电源转换器和适配器中扮演关键角色，能够高效地控制和开关电源流，降低功耗。

2. LED 驱动: 本器件能够用于LED照明应用，通过高电压和相对较低的电流提高效率，适用于各种照明方案。

3. 电机驱动: 其高电压能力使其成为驱动直流电机和步进电机的理想选择。

4. 开关应用: 在家庭自动化和工业设备中，该MOSFET可用于各种开关应用，提供高效的控制能力。

性能优势

• 高漏源电压: 600V的额定电压使其能够在高压环境中稳定工作，拓宽了其应用范围。

• 低导通电阻: 在60mA及10V时，Rds(on) 最大值仅为100Ω，为电路提供更高的效率，降低发热量。

• 小型封装: SOT-23-3的紧凑封装使其便于在空间受限的电路板上使用，有助于设计更小型化的电子产品。

• 广泛的工作温度范围: -55°C 至 150°C的宽工作温度范围保证了其在恶劣工作环境中的可靠性。

设计建议

在选择DMN60H080DS-7进行设计时，请务必考虑其最大功率耗散（1.1W）和所需散热设计。确保栅源电压（Vgs）在规定范围内，以避免对器件造成损害。此外，通过适当的PCB布局和布局设计来最小化额外的输入和输出电容，以提高整体性能。

结论

DMN60H080DS-7 是一款高效、可靠且小型化的N沟道MOSFET，适用于多种高压应用。其优异的性能参数使其在现代电子设计中成为一款理想的选择，特别是在需要高能效和紧凑设计的场景中。无论是在电源管理、LED驱动，还是电机控制领域，DMN60H080DS-7都能提供强大的性能与灵活性，是您电子设计中不可或缺的基础器件之一。