DMN63D8LDWQ-7

DMN63D8LDWQ-7 产品概述

产品简介

DMN63D8LDWQ-7 是一种双 N 级场效应管（MOSFET），由知名供应商 DIODES（美台）生产。这款器件专为需要高效能和紧凑尺寸的电子电路设计而开发，具有广泛的应用潜力。其采用 SOT-363 封装，可以实现表面贴装，适合用于各种现代电子产品。

主要参数

• FET 类型: 双 N 通道
• 漏源电压（Vds）: 高达 30V，适合多种电源应用
• 连续漏极电流（Id）: 220mA，满足一般驱动需求
• 导通电阻（Rds(on)）: 在 250mA 和 10V 下，最大 2.8 Ω，确保良好的导电性和效率
• 栅极到源极阈值电压（Vgs(th)）: 最大值为 1.5V @ 250µA，方便实现低功耗开关
• 栅电荷（Qg）: 最大 0.87nC @ 10V，适应快速开关应用
• 输入电容（Ciss）: 最大 22pF @ 25V，确保高频应用下的稳定性
• 最大功率功耗: 300mW，适合一般功率需求
• 温度范围: 工作温度范围广，-55°C ~ 150°C，适合于高温和恶劣环境下操作

封装与安装方式

DMN63D8LDWQ-7采用 SOT-363 封装，这种紧凑型设计使得该器件非常适于空间受限的应用。表面贴装技术（SMT）确保了更高的组件密度，并减少了电路板的制造成本。该封装能够有效提供散热，并有助于其在高温环境中保持稳定性能。

应用领域

DMN63D8LDWQ-7 适用于多种电子应用，尤其在以下领域展现出其优势：

1. 开关电源: 由于其低导通电阻和高效的栅极驱动能力，DMN63D8LDWQ-7 可以理想地用于各种开关电源模块。
2. 电机驱动: 双 N 通道设计使其适用于驱动小型电机，提供高效的电流控制。
3. 信号开关: 该器件可用于信号开关应用，能在低电压和小信号环境中保持优良性能。
4. 消费电子产品: 可广泛应用于智能手机、平板电脑及其他便携设备中，以实现高效的电源管理和信号处理功能。
5. 工业设备: 适合用于各种工业自动化设备和传感器接口，满足高可靠性的要求。

总结

DMN63D8LDWQ-7 是一款高性能的双 N 级 MOSFET，具有优异的电气特性和可靠的工作温度范围，适用于多个电子应用领域。凭借其出色的导电特性和低功耗特性，该器件满足现代电子产品对高效电源管理和性能稳定性的要求。无论是在消费电子、工业设备还是其他特定应用中，DMN63D8LDWQ-7 都能体现出其卓越的价值，成为设计工程师的可靠选择。