DMN61D9U-13

DMN61D9U-13 产品概述

DMN61D9U-13 是一款高性能的 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由 DIODES（美台）公司制造。这款 MOSFET 以其卓越的电流控制和高效能，在多个电子应用中被广泛使用，包括电源管理、开关电路及其他需要高效开关功能的场合。

基础参数

• FET 类型：N通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）
• 漏源电压（Vdss）：最大 60V，适合用于中等电压的应用场景。
• 连续漏极电流（Id）：在 25°C 时，最大电流可达 380mA，使其能够处理适度的负载。
• 驱动电压：器件在 1.8V 至 5V 的范围内实现最小 Rds(on)，该参数是评估 MOSFET 导通时损耗的重要指标。

关键电气特性

DMN61D9U-13 的导通电阻（Rds(on)）在不同电流（Id）与栅极电压（Vgs）条件下也是其性能的重要参数：

• 导通电阻：在 50mA、5V 的条件下，导通电阻最大为 2 欧姆，表明其在开启状态下良好的电流传导性，降低了额外能耗。
• 阈值电压（Vgs(th)）：最大值为 1V @ 250µA，这使得 MOSFET 在低电压驱动条件下具有良好的开启性能。
• 栅极电荷（Qg）：4.5V 时的栅极电荷最大为 0.4nC，表明其在高频应用中的开关速度表现出色。

电容特性与耐压能力

• 输入电容（Ciss）：在 30V 时，最大输入电容为 28.5pF，这一特性确保了在高频操作下，信号传输的有效性。
• 工作温度范围：-55°C 至 150°C，宽广的工作温度范围使其适用于严酷的环境条件，提升了其市场适用性。
• 最大功率耗散：在 25°C 时，功率耗散能力最高为 370mW，要有效管理设计中的热量分散。

封装与安装

DMN61D9U-13 使用 SOT-23-3 封装，具有紧凑形式因素，非常适合于空间受限的表面贴装技术（SMT）应用。其广泛兼容的封装使设计人员能够简单且方便地集成进多个电路中。

应用领域

由于其兼具高耐压及良好电气性能，DMN61D9U-13 适合用于一系列电力电子应用，包括但不限于：

1. 开关电源：高效的开关特性使其非常适合用于电源管理和逆变器中。
2. 直流电机控制：可以作为电机驱动电路中的开关元件。
3. 信号开关：在多路复用器和其他信号处理电路中，用于切换和开关。
4. 电池管理系统：在移动设备和电池充电器中，提高转化效率，降低损耗。

总结

DMN61D9U-13 是一款功能强大且应用广泛的 N 通道 MOSFET，其结合了高导通电流能力、低导通电阻和良好的温度稳定性，适用于多种电子设计方案。无论是在家用电器、消费电子还是工业设备中，DMN61D9U-13 都能够为系统提供可靠的性能和效率，帮助设计人员更好地实现他们的产品目标。选择 DMN61D9U-13，您将拥有一款高效、可靠且兼容范围广泛的 MOSFET 解决方案。