MMBF170Q-13-F
MMBF170Q-13-F参数
| 类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 5.3Ω@4.5V,50mA |
| 功率(Pd) | 300mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.1V@250uA |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 40pF@10V | 反向传输电容(Crss@Vds) | 5pF@10V |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
MMBF170Q-13-F手册
MMBF170Q-13-F概述
MMBF170Q-13-F 产品概述
产品名称: MMBF170Q-13-F
类型: N 通道金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET)
封装: SOT-23 (TO-236-3, SC-59)
制造商: DIODES（美台）
一、产品概述
MMBF170Q-13-F 是一款高效能的 N 通道 MOSFET，专为电源管理和开关应用而设计。该器件以其卓越的性能和可靠性，广泛应用于各种电子设备中的功率开关、信号放大及其他需要控制电流和电压的场合。其设计不仅考虑到了高电流和高电压的应用需求，同时也兼顾了小型化和轻量化的趋势，使其成为现代电子产品中不可或缺的核心组件。
二、主要参数
漏源电压 (Vdss): 最高承受电压为 60V，使得 MMBF170Q-13-F 能够在较高电压环境下稳定工作。
连续漏极电流 (Id): 在 25°C 环境温度下，最大连续漏极电流为 500mA。这一特性得以保证 MOSFET 可广泛用于低功耗和中功耗电路中，确保电子产品在正常工作条件下的长效稳定。
导通电阻 (Rds(on)): 在 Vgs=10V 且 Id=200mA 时，最大导通电阻为 5 欧姆。较低的导通电阻意味着在开关操作中能更有效地降低功率损耗，提高电能使用效率。
阈值电压 (Vgs(th)): 最大阈值电压为 3V @ 250µA，表明该 MOSFET 对于低信号控制的响应速度快，适合用于逻辑电平驱动的应用场景。
最大功率耗散 (Pd): 300mW 的最大功率耗散能力使得该 MOSFET 可以在较小的体积内承受相对较高的功率负载。
工作温度范围: MMBF170Q-13-F 支持宽广的工作温度范围，从 -55°C 到 150°C，显示出其在极端条件下的可靠性和适应性。
输入电容 (Ciss): 在 Vgs = 10V 时的输入电容为 40pF，反馈其在高速开关时的响应速度及驱动效率。
三、应用领域
由于其出色的性能参数，MMBF170Q-13-F 适合于多种应用场合，主要包括但不限于：
- 开关电源: 用于电源开关控制，以减少待机功耗和提高转换效率。
- 信号调节: 作为信号放大器，提供高增益和低失真的信号处理。
- 驱动电路: 在逻辑电平转换和驱动负载设备（如LED和马达）方面表现优异。
- 自动化控制: 在工业自动化控制系统中，作为保护开关和控制器件。
四、优势
- 高效能: 低 Rds(on) 带来的低功耗和高效能。
- 宽广工作温度: 在严酷的环境条件下稳定工作，适合各种气候与应用场合。
- 小体积: SOT-23 封装使其适合于空间有限的设计，符合现代电子产品对小型化的需求。
- 可靠性: DIODES 品牌背书，保证产品的质量与性能，适合长期使用。
五、总结
MMBF170Q-13-F 作为一款高性能 N 通道 MOSFET，凭借其高漏源电压、低导通电阻和宽广的工作温度范围，成为了众多电子应用中的理想选择。无论是在电源管理、信号处理还是设备驱动领域，其优异的性能都为设计师提供了极大的灵活性和可靠性。选择 MMBF170Q-13-F，将为您的设计增添一份保障与信任。