DMN67D8LT-7

DMN67D8LT-7 产品概述

一、基本信息

DMN67D8LT-7 是由 Diodes Incorporated 生产的一款先进的 N 沟道场效应管 (MOSFET)，其具有显著的性价比和优良的性能，常用于多种电子线路和设备中。该 MOSFET 封装形式为 SOT-523，适合各种空间有限的应用场合。

二、主要参数

• 制造商: Diodes Incorporated
• 零件状态: 有源
• 封装类型: SOT-523
• 功耗: 260mW
• 最大漏极-源电压 (Vds): 60V
• 最大漏极电流 (Id): 210mA
• 极性: N 沟道

三、器件特性

DMN67D8LT-7 的 N 沟道设计使其具备优异的导通性能和快速开关特性，且其高达 60V 的漏极-源电压容忍度，使得其在高压环境中的应用具有更大的灵活性和可靠性。它的最大漏极电流为 210mA，适合中小功率的开关应用。

在小尺寸的 SOT-523 封装中，DMN67D8LT-7 具备更低的导通电阻 (RDS(on))，从而能在工作时有效降低功耗，减少发热。这对于要求高效率和长时间运行的设备尤其重要。

四、应用场景

DMN67D8LT-7 适合于多种应用，包括但不限于：

1. 低功率开关电源: 利用其较高的工作电压和高频开关特性，广泛应用于各种电源管理电路。
2. LED 驱动电路: 由于其出色的导通性能，适合为 LED 提供所需的稳定电流。
3. 电池管理系统: 在便携设备中，常用于电源的切换和电池保护，以延长续航时间。
4. 自动化设备: 在控制电路中，为各种传感器和执行器提供强有力的开关操作。
5. 通信设备: 其小型封装和高效性能使其成为无线和有线通信电路中的理想选择。

五、优点

• 高效能: 降低能耗，提升系统工作效率，特别适合于待机功耗要求极为严格的设备。
• 小尺寸: SOT-523 封装能够节省板上空间，非常适合便携式和小型设备。
• 等级保障: 由知名制造商 Diodes Incorporated 生产，具有高品质的保障。
• 应用灵活: 可支持多种类型的电路设计，适应不同需求。

六、总结

DMN67D8LT-7 是一款性能卓越且应用广泛的 N 沟道场效应管，以其高压、高效率和灵活的小封装适应了现代电子设备对性能和空间的双重要求。无论是在电源管理、照明控制还是自动化设备中，DMN67D8LT-7 都能高效满足您的需求，确保设备的稳定性和可靠性，是设计师和电子工程师理想的元器件选择。通过对其特性的缓存和适当的设计应用，DMN67D8LT-7 将为您的项目提供长久的支持和优异的性能表现。