晶体管类型 | 1个NPN,1个PNP-预偏置 | 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
集电极电流(Ic) | 100mA | 功率(Pd) | 200mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 100@5V | 最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 1.9V |
最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc) | 3V | 输出电压(VO(on)@Io/Ii) | 300mV@10mA,0.5mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
DCX114EU-13R-F 是一款由 DIODES(美台)推出的数字晶体管,具有双极性结构,包含一个 NPN 晶体管和一个 PNP 晶体管,采用预偏置设计。该产品以其高集电极电流、较高的击穿电压和极小的饱和压降,适用于各种需要开关和信号放大的电子电路中。封装形式为 SOT-363,适合表面贴装,能够在多种 PCB 设计中有效集成。
DCX114EU-13R-F 的特性使其适用于多种应用场景,尤其包括:
作为 DIODES(美台)出品的数字晶体管,DCX114EU-13R-F 享有配合其良好的品质保证和技术支持。DIODES 在半导体行业享有良好的声誉,其产品以高度可靠性及创新的设计而闻名,能够为客户提供优质、高效的电子解决方案。
凭借其出色的电性能、适中的功耗和广泛的适用性,DCX114EU-13R-F 代表了现代数字信号处理与功率控制技术的前沿产品。其极小的封装尺寸与高集成度,使其成为设计师在选择适合的电子元件时的优先选择。无论是在消费类电子、工业设备还是通信领域,DCX114EU-13R-F 都能够为电路设计带来卓越的性能,助力未来的创新与发展。