DMP1200UFR4-7

DMP1200UFR4-7 产品概述

概述

DMP1200UFR4-7 是一款高性能 P 沟道金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET)，由美台（DIODES）公司生产。该器件专为低功耗应用设计，具有出色的电气性能和优越的热性能，使其适用于各种电子产品和电路设计中。该 MOSFET 的最大漏源电压为 12V，最大连续漏极电流为 2A，非常适合用于电源管理、负载开关、马达驱动和高效电源转换等应用。

主要技术规格

• FET 类型: P 沟道
• 技术: MOSFET（金属氧化物半导体）
• 漏源电压 (Vdss): 12V
• 连续漏极电流 (Id): 2A（在 25°C 环境温度下）
• 驱动电压: 最大 Rds(on) 下驱动电压为 1.5V，最小 Rds(on) 下驱动电压为 4.5V
• 导通电阻 (Rds(on)): 在 2A 和 4.5V 时的最大导通电阻为 100 毫欧
• 阈值电压 (Vgs(th)): 最大阈值电压为 1V（在 250µA 下）
• 栅极电荷 (Qg): 在 4.5V 下的最大栅极电荷为 5.8nC
• 栅源电压上限 (Vgs): ±8V
• 输入电容 (Ciss): 在 5V 下的最大输入电容为 514pF
• 功率耗散: 最大功率耗散为 480mW（在环境温度 Ta 下）
• 工作温度范围: -55°C ~ 150°C（结温 TJ）
• 封装类型: X2-DFN1010-3（表面贴装型）

应用领域

DMP1200UFR4-7 MOSFET 的出色参数使其适合于多种应用，例如：

1. 电源管理: 适用于DC-DC转换器和线性稳压器，帮助提高转换效率，降低热损耗。
2. 负载开关: 用于开关插件和机械负载的控制，能够承受高达 2A 的电流。
3. 马达驱动: 特别适用于小型电机控制，能够有效管理电流和电压，确保系统的稳定性。
4. LED驱动器: 此外，该MOSFET也适用于LED照明和背光应用，能够确保高效的电流管理和发光控制。

性能优点

• 低导通电阻: 最大 Rds(on) 为 100 毫欧，使得器件在导通时损耗极低，提高了能效。
• 宽广的工作温度范围: -55°C 至 150°C 的工作温度范围，确保即使在极端环境下也能正常运行。
• 快速开关能力: 具有低栅极电荷的特性，在高频应用中表现出色，有利于系统的响应速度。
• 高可靠性: 经过严格的测试和验证，确保了器件在各种环境下的可靠性和稳定性。

封装与布局

DMP1200UFR4-7 采用现代化的X2-DFN1010-3封装，具有紧凑的尺寸和低剖面特性，便于在高密度板上布线和放置。同时，该封装提供良好的热管理性能，有助于器件的散热和长期稳定运行。

结论

DMP1200UFR4-7 是一款功能强大且高效的 P 沟道 MOSFET，凭借其卓越的电气特性和广泛的应用适应性，为设计师提供了极佳的选择。无论是在电源管理、公路负载开关还是其它控制应用，DMP1200UFR4-7都能实现高可靠性和卓越性能，是电子设计领域中的理想元件。