DMC2990UDJQ-7B

DMC2990UDJQ-7B 产品概述

产品介绍

DMC2990UDJQ-7B 是一款由 DIODES（美台）公司出品的互补型场效应管（MOSFET），该产品集成了一个 N 沟道和一个 P 沟道晶体管，采用 SOT-963 封装，专为高效能开关应用而设计。它的漏源电压（Vds）最高可达 20V，适合于多种电子设备和电路中的应用。该 MOSFET 器件的功率最大值为 350mW，能够承受高达 450mA 的连续漏极电流，使其在许多应用中具备广泛的适用性。

基本参数

DMC2990UDJQ-7B 的主要参数如下：

• FET 类型: N 和 P 沟道互补型
• 漏源电压（Vds）: 20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 450mA（Ta），310mA（Ta）
• 导通电阻（Rds(on)）: 990 毫欧 @ 100mA，4.5V（N 沟道），1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V（P 沟道）
• 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为 1V @ 250µA
• 栅极电荷 (Qg): 最大值为 0.5nC @ 4.5V
• 输入电容 (Ciss): 最大值为 27.6pF @ 15V
• 工作温度范围: -55°C ~ 150°C（TJ）

应用领域

DMC2990UDJQ-7B 的设计使其特别适合用在电源管理、开关电源、直流-直流转换器和电机驱动等各种应用中。在现代电子设备中，功耗的管理和效率的提升是设计的关键要素，这款 MOSFET 能有效减少开关损耗，并能够在高温环境下稳定运行，因而在消费电子、汽车电子和工业控制等领域均有较大的市场需求。

封装与安装

该产品采用的 SOT-963 封装形式非常适合表面贴装(SMD) 鉴于其小巧的型体设计，可实现更高的集成度和更小的电路板占用空间。此封装设计还提供了优良的散热性能，确保在高负载和高温环境下工作仍保持稳定。

性能优势

1. 高效率: 低导通电阻和低栅极电荷使得 DMC2990UDJQ-7B 在开关频率较高的应用场合中，可以显著降低功耗，从而提升系统整体效率。
2. 宽广的工作温度范围: 允许它在 -55°C 到 150°C 的极端工况中正常工作，满足航空、军事及特殊工业应用的严苛要求。
3. 互补设计: N 沟道和 P 沟道的互补型设计能方便用户在电路设计中实现高效的推挽功能，进一步提高电路的工作效率。
4. 小型化封装: SOT-963 封装使得 DMC2990UDJQ-7B 特别适合现代紧凑型设计，满足当今消费者对于小型、高效电子设备的期待。

结论

总体而言，DMC2990UDJQ-7B 是一个高可靠性、高效率的互补型 MOSFET，具备良好的电气特性和宽广的工作温度范围，适合各种要求苛刻的应用。本产品以其优越的性能，在当前快发展的电子市场中，正逐渐成为工程师们首选的元件之一，帮助他们打造更加高效、稳定的电子产品。