类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 3.3A;4A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 42mΩ@5A,4.5V;70mΩ@3.5A,4.5V |
功率(Pd) | 700mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.2V@250uA;1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 10.5nC@10V;6.5nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 416pF@10V;536pF@10V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
DMC2057UVT-13 是一款由美台(Diodes)公司生产的高效互补型场效应晶体管(MOSFET),其在电力管理和开关应用中表现出色。这款器件采用了表面贴装型封装(TSOT-26),适合在空间受限的现代电子设计中使用。以下是对该器件的详细说明与其性能特点。
DMC2057UVT-13 包含一个N沟道和一个P沟道的MOSFET,具有以下基础电气参数:
DMC2057UVT-13 的最大功率可达700mW,这使其在热管理上能够保持较高的可靠性。此外,该器件具备宽广的工作温度范围,能够在-55°C至150°C的环境下稳定工作,适合极端气候条件下的应用。
采用TSOT-26封装的DMC2057UVT-13在尺寸上更为紧凑,适合高密度电路板设计。其小型化与高效能的结合使得该器件在以下应用场景中表现出色:
DMC2057UVT-13 MOSFET 以其低导通电阻、良好的开关性能及宽广的工作温度范围,成为现代电子设计中不可或缺的功率开关组件。无论是在消费者电子、工业控制,还是在移动设备应用中,DMC2057UVT-13均可为各类高级电路提供高效、可靠的解决方案。随着技术的进步,该器件将继续推动新一代电源管理和开关应用的发展。