晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 100mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 50V | 功率(Pd) | 1W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 120@1.0mA,6.0V | 特征频率(fT) | 100MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 200mV@50mA,5.0mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
2DC4617QLP-7B是一款高性能NPN型晶体管,采用先进的表面贴装技术(SMD),同时具有出色的电气特性和广泛的适应性,适合于多种电子应用场景。其主要参数包括最大集电极电流(Ic)为100mA,最大集射极击穿电压(Vceo)为50V;此器件能在高达100MHz的频率下稳定工作,且具备较低的功率耗散能力(最大250mW),使其能够在小尺寸的封装内实现高效能。
电气特性
频率特性
工作环境
封装与安装
2DC4617QLP-7B广泛应用于各种电子设备和系统中,包括但不限于:
2DC4617QLP-7B凭借其卓越的电气性能、宽广的工作环境适应性和紧凑的封装设计,成为各类应用中不可或缺的节点选择。无论是在高频电路中还是在要求严格的工业应用场景中,该器件均可确保系统的高效运行和稳定性。搭配DIODES(美台)品牌的可靠性与质量保障,2DC4617QLP-7B将为您的设计提供有效的解决方案。