VN10LP 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

VN10LP

商品编码: BM0084328331
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
EP3SC
包装 : 
编带
重量 : 
0.221g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 625mW 60V 270mA 1个N沟道 TO-92L-3
库存 :
2620(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
2.81
按整 :
圆盘(1圆盘有4000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.81
--
100+
¥2.25
--
1000+
¥2.01
--
2000+
¥1.9
--
40000+
产品参数
产品手册
产品概述

VN10LP参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)270mA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)5Ω@10V,500mA
功率(Pd)625mW阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@1mA
输入电容(Ciss@Vds)60pF@25V工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

VN10LP手册

VN10LP概述

VN10LP 产品概述

一、产品基本信息

VN10LP 是由美台(DIODES)推出的一款高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。该器件采用 TO-92-3 封装形式,适用于各种低功率开关和线性应用,同时具有较高的耐压能力和稳定的工作性能。

二、主要特点与参数

  1. 高耐压: VN10LP 的漏源电压(Vds)最大可达到 60V,使其能够在多种电源环境中无忧运行。

  2. 高连续漏极电流: 在 25°C 的环境温度下,VN10LP 的连续漏极电流(Id)最大可达 270mA,提供了足够的输出能力以满足大多数低功率应用需求。

  3. 低导通电阻: VN10LP 的最大导通电阻(Rds On)为 5Ω,测试条件为 Id 为 500mA,Vgs 为 10V。这意味着在开关状态下,器件的功耗及热量生成都得到了有效控制,有助于提升系统的整体效率。

  4. 宽输入电压范围: 该MOSFET在最大栅源电压(Vgs)为 ±20V 的情况下,工作稳定,适合于大多数控制电路。

  5. 低阈值电压: VN10LP 的阈值电压(Vgs(th))最大值为 2.5V(在 1mA 时测得)。这使得器件能够在较低电压状态下被有效开启,适应低电压驱动条件。

  6. 小尺寸与通孔设计: VN10LP 采用 TO-92-3 封装,体积小巧,适合于各种空间受限的应用场景。其通孔安装设计也便于在各类电路板上快速集成。

  7. 广泛的操作温度范围: VN10LP 支持的工作温度范围为 -55°C 到 150°C(TJ),确保其在极端工作环境中的可靠性和稳定性。

  8. 输入电容: 在 25V 条件下,其最大输入电容(Ciss)为 60pF,进一步增强了其适合高速开关应用的能力。

三、应用领域

VN10LP MOSFET 由于其高性能特性,广泛应用于多个行业和领域,包括但不限于:

  1. 开关电源: 适用于电源管理电路中,实现高效的电能转换和控制。

  2. 电机驱动: 可应用于小型电机的控制电路,提供高效的开关能力。

  3. 家电控制: 在家用电器中,例如洗衣机、冰箱等设备的开关控制实现中有广泛应用。

  4. 汽车电子: 适合用于汽车电子控制单元(ECU)中的功率开关,实现精确的电流调节。

  5. 通信设备: 在通信基站中,VN10LP 可用于放大器和混频器中,提供快速响应的开关功能。

  6. LED 驱动: 在 LED 照明驱动回路中,作为高效开关器件,提升系统效率。

四、总结

VN10LP 是一款高性能 N 沟道 MOSFET,具有优越的电气特性和广泛的工作适应性。它不仅满足了稳定性和可靠性的要求,还兼具高效能和灵活性,适合在各种低功率应用中广泛部署。无论是在工业、电力、还是消费电子领域,VN10LP 都将为电路设计师和工程师提供优质的解决方案,是推动现代电子设备发展的重要组成部分。