类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 270mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 5Ω@10V,500mA |
功率(Pd) | 625mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@1mA |
输入电容(Ciss@Vds) | 60pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
VN10LP 是由美台(DIODES)推出的一款高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。该器件采用 TO-92-3 封装形式,适用于各种低功率开关和线性应用,同时具有较高的耐压能力和稳定的工作性能。
高耐压: VN10LP 的漏源电压(Vds)最大可达到 60V,使其能够在多种电源环境中无忧运行。
高连续漏极电流: 在 25°C 的环境温度下,VN10LP 的连续漏极电流(Id)最大可达 270mA,提供了足够的输出能力以满足大多数低功率应用需求。
低导通电阻: VN10LP 的最大导通电阻(Rds On)为 5Ω,测试条件为 Id 为 500mA,Vgs 为 10V。这意味着在开关状态下,器件的功耗及热量生成都得到了有效控制,有助于提升系统的整体效率。
宽输入电压范围: 该MOSFET在最大栅源电压(Vgs)为 ±20V 的情况下,工作稳定,适合于大多数控制电路。
低阈值电压: VN10LP 的阈值电压(Vgs(th))最大值为 2.5V(在 1mA 时测得)。这使得器件能够在较低电压状态下被有效开启,适应低电压驱动条件。
小尺寸与通孔设计: VN10LP 采用 TO-92-3 封装,体积小巧,适合于各种空间受限的应用场景。其通孔安装设计也便于在各类电路板上快速集成。
广泛的操作温度范围: VN10LP 支持的工作温度范围为 -55°C 到 150°C(TJ),确保其在极端工作环境中的可靠性和稳定性。
输入电容: 在 25V 条件下,其最大输入电容(Ciss)为 60pF,进一步增强了其适合高速开关应用的能力。
VN10LP MOSFET 由于其高性能特性,广泛应用于多个行业和领域,包括但不限于:
开关电源: 适用于电源管理电路中,实现高效的电能转换和控制。
电机驱动: 可应用于小型电机的控制电路,提供高效的开关能力。
家电控制: 在家用电器中,例如洗衣机、冰箱等设备的开关控制实现中有广泛应用。
汽车电子: 适合用于汽车电子控制单元(ECU)中的功率开关,实现精确的电流调节。
通信设备: 在通信基站中,VN10LP 可用于放大器和混频器中,提供快速响应的开关功能。
LED 驱动: 在 LED 照明驱动回路中,作为高效开关器件,提升系统效率。
VN10LP 是一款高性能 N 沟道 MOSFET,具有优越的电气特性和广泛的工作适应性。它不仅满足了稳定性和可靠性的要求,还兼具高效能和灵活性,适合在各种低功率应用中广泛部署。无论是在工业、电力、还是消费电子领域,VN10LP 都将为电路设计师和工程师提供优质的解决方案,是推动现代电子设备发展的重要组成部分。