类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 320mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3Ω@10V,500mA |
功率(Pd) | 700mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@1mA |
ZVNL110A 是一款由美台 Diodes Incorporated 制造的 N 通道 MOSFET。这款场效应管具备高效能、宽工作温度范围和卓越的电气特性,非常适合用于各种电子电路中的开关和放大应用。它采用 TO-92-3 封装,便于通孔安装,广泛用于消费类电子产品、汽车电子、工业控制等多个领域。
ZVNL110A 可以在多种应用中发挥重要作用,包括但不限于:
电源管理: 在电源电路中,当需要控制功率分配或者调节电压时,MOSFET 可以用作高效的开关元件,降低能量损耗。
信号开关: 由于其快速的开关特性,ZVNL110A 适用于音频信号开关或数字信号处理中的转换,能够有效地保护和管理信号通路。
驱动电路: 可用于各种低功耗驱动电路,例如 LED 驱动器、继电器驱动和小型电动机控制。
汽车电子: 高温性能和耐用性使得该元件适合在汽车电子设备,尤其在电态控制和电源分配模块中的应用。
ZVNL110A 在使用过程中可提供多种优异特性,包括:
综上所述,ZVNL110A N 通道 MOSFET 是一个多功能、高性能的电子元件,适用于不同的商业和工业应用场景。它的设计有效地平衡了电气性能与热性能,使其成为要求高可靠性与高效率的应用中的理想选择。无论是在电源管理、驱动电路还是汽车电子领域,ZVNL110A 均能表现出色,为设计工程师提供了极大的便利和信心。