类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 600mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1Ω@1.5A,10V |
功率(Pd) | 700mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@1mA |
输入电容(Ciss@Vds) | 100pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
ZVN4206AVSTZ是美台(DIODES)公司生产的一款N通道MOSFET,具有优良的电气性能和宽广的工作温度范围。该器件设计用于低功耗、高效率的开关和放大应用,特别适用于电源管理、马达驱动、负载开关等领域。
ZVN4206AVSTZ适用于多种应用场景,包括:
ZVN4206AVSTZ采用E-Line-3封装,其独特的结构设计可以提供良好的散热性能,助力器件在高电流和高功率条件下的稳定性。同时,通孔安装方式也使得在PCB设计中的焊接操作更加简便,避免了焊接过程中可能出现的结构性缺陷。
作为一款高性能的N通道MOSFET,ZVN4206AVSTZ在电源效率、散热性能以及工作稳定性方面均表现出色,能够满足现代电子设备对高效能元器件的需求。其广泛的应用场景和优异的技术规格,使其成为电源管理、驱动电路及负载开关等领域理想的选择。无论是在商业应用还是在工业设备中,ZVN4206AVSTZ都能提供可靠的性能支持,是值得信赖的电子元器件。