ZVN4206AV 产品实物图片
ZVN4206AV 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

ZVN4206AV

商品编码: BM0084328354
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
EP3SC
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 700mW 60V 600mA 1个N沟道 TO-92
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.42
按整 :
圆盘(1圆盘有4000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.42
--
4000+
¥1.36
--
24000+
产品参数
产品手册
产品概述

ZVN4206AV参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)600mA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1Ω@1.5A,10V
功率(Pd)700mW阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@1mA
输入电容(Ciss@Vds)100pF@25V工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

ZVN4206AV手册

ZVN4206AV概述

ZVN4206AV 产品概述

一、产品简介

ZVN4206AV是由知名半导体制造商DIODES(美台)生产的一款高性能N沟道MOSFET,广泛应用于各种电子电路和设备中。该MOSFET以其优越的电气特性和可靠性,成为多种应用场合的理想选择,尤其适用于开关电源、电动机驱动、负载开关及其他需要高效控制电流的场合。

二、关键特性

  1. 漏源电压(Vdss): 最大可达60V,使该器件能够适应多种电压环境,尤其适合中等电压应用。

  2. 连续漏极电流(Id): 在25°C下,ZVN4206AV的最大连续漏极电流为600mA。这一规格使得该MOSFET能够有效地处理较大的负载电流。

  3. 导通电阻: 在10V的栅极电压下,ZVN4206AV的最大导通电阻(Rds(on))为1欧姆(在1.5A的条件下)。低导通电阻意味着更高的功率转换效率和更少的热损耗,从而提高系统整体性能。

  4. 栅源阈值电压(Vgs(th)): 在1mA的漏电流下,最大阈值电压为3V,这使得器件在较低栅电压下就能有效开通,对于低功耗应用尤为重要。

  5. 输入电容(Ciss): 在25V时,最大输入电容为100pF,较低的输入电容有助于提高开关速度,减少开关损耗,适应高频开关应用。

  6. 功率耗散: 该MOSFET的最大功率耗散为700mW,能够有效管理热量,从而增强器件的可靠性和使用寿命。

  7. 工作温度范围: ZVN4206AV的工作温度范围从-55°C到150°C,适应严苛的环境条件,广泛应用于工业、汽车和消费类电子产品中。

  8. 封装类型: 采用TO-92-3封装,具备良好的机械强度和导热性能,适合通孔安装,使得在PCB布局设计上也较为灵活。

三、应用领域

ZVN4206AV适用于多种场合,例如:

  1. 开关电源: 在开关电源设计中,MOSFET作为开关元件,可以高效控制电流的流动,从而确保电源的稳定性和效率。

  2. 电动机驱动: 在电动机控制电路中,MOSFET用于实现电机的启停、正反转控制,能够快速响应,提高电机控制的精确性。

  3. 负载开关: 作为负载开关,ZVN4206AV可以用于高效控制灯光、风扇等负载的接通与断开。

  4. 自动化控制系统: 在自动化控制模块中,MOSFET可以用来实现对各种传感器和执行器的接口和控制。

四、总结

ZVN4206AV是一款高效、可靠的N沟道MOSFET,结合其优越的电气特性和广泛的应用领域,变得极其适合多种电子设计需求。随着电子产品对性能、效率和可靠性要求的不断提高,ZVN4206AV凭借其稳定的性能和多功能适用性,定能满足市场的多种需求。针对电源管理和信号处理等关键领域,ZVN4206AV无疑是设计工程师们的理想选择。