晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 6.5A |
集射极击穿电压(Vceo) | 12V | 功率(Pd) | 2.4W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 185@6.5A,2V | 特征频率(fT) | 260MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 50nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 200mV@6.5A,130mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
ZXTN25012EZTA是一款高性能的NPN型晶体管,广泛应用于各种电子电路和系统中。它的设计和制造旨在满足现代电子设备对高效率、高功率、小体积的需求。该元器件由美台著名半导体制造商DIODES出品,具有极高的可靠性和稳定性,非常适合用于各种电源管理、信号放大和开关应用。同时,其封装形式为SOT-89,符合表面贴装技术 (SMT),使其在现代电子设计中更具优势。
ZXTN25012EZTA的关键参数包括:
ZXTN25012EZTA凭借其优越的电气性能,适用于多种应用场景,包括但不限于:
ZXTN25012EZTA具备以下重要优势:
ZXTN25012EZTA作为一款高效、高性能的NPN晶体管,在现代电子设计中展现出广泛的应用潜力。无论是在电源管理、信号放大还是高频应用中,它都为设计工程师提供了可靠的解决方案。凭借其优越的性能指标和优秀的工作稳定性,ZXTN25012EZTA无疑是希望提升产品性能的设计者的理想选择。其紧凑的尺寸以及高功率处理能力也使得它在众多竞争产品中脱颖而出,成为电子行业中不可或缺的基础元件之一。