类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 320mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 4Ω@10V,1A |
功率(Pd) | 700mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.4V@1mA |
输入电容(Ciss@Vds) | 75pF@25V | 反向传输电容(Crss@Vds) | 8pF@25V |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
ZVN2110ASTZ 是一款高性能的 N 通道 MOSFET(金属氧化物场效应管),广泛应用于开关电源、功率放大器、低通滤波器以及其他电子设备中。此器件由美台品牌 DIODES 生产,具备出色的电流控制能力及热管理特性,适用于多种电子应用。
电气特性
开关性能
功率参数
工作环境
封装形式
由于其杰出的电气特性,ZVN2110ASTZ 被广泛应用于多个领域,包括但不限于:
ZVN2110ASTZ 是一款极具竞争力的 N 通道 MOSFET,具备高效能的电气特性以及可靠的工作环境适应能力。凭借其多样的应用场景和稳定的性能,理想用于现代电子设备中的各类应用。无论是在消费电子,工业设备还是汽车电子,ZVN2110ASTZ 都是能够满足复杂应用需求的优秀选择。选择 ZVN2110ASTZ,将有助于提升您的设计质量,确保项目的成功与稳定运行。