类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 300V |
连续漏极电流(Id) | 46A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 38mΩ@10V,26A |
功率(Pd) | 330W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 110nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 4.56nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 100pF@160V | 工作温度 | -40℃~+175℃ |
IRFB4229PBF是一款高性能的N通道MOSFET,采用了先进的MOS(金属氧化物半导体)技术,具备卓越的性能和高效能,适用于多种电力电子应用。该产品由英飞凌(Infineon)生产,旨在满足对高电压和高电流要求的应用场景,同时具有广泛的工作温度范围和优秀的热管理能力。
IRFB4229PBF广泛应用于各种电力电子领域,包括但不限于:
IRFB4229PBF采用TO-220AB封装,这种封装形式具有良好的散热性能,能够快速地将内部产生的热量传导至环境,确保产品在长时间高负荷工作下的可靠性。同时,该封装支持通孔安装,便于在各种电路板上进行集成和应用。
综合以上信息,IRFB4229PBF作为一款高效能的N通道MOSFET,其出色的电压和电流承载能力、低导通电阻、高功率耗散能力,以及广泛的工作温度范围,使其在当前迅速发展的电力电子市场中占有一席之地。该产品是设计人员在追求高效率、高可靠性电源和驱动解决方案时的理想选择。