类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 2.1A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 320mΩ@4.5V,0.5A |
功率(Pd) | 2.1W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 16.5nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 717pF@50V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 46pF@50V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
ZXMC10A816N8TC是一款高性能的表面贴装型双向MOSFET,结合了N沟道和P沟道的特性,广泛应用于现代电子电路中。其工作电压范围高达100V,额定电流为2A,适合各种低功耗和高效能的电源管理应用。由于其优异的热稳定性和高工作温度范围,这款MOSFET在苛刻的环境条件下依然能稳定工作,温度范围为-55°C至150°C(TJ)。
ZXMC10A816N8TC主要用于电源管理、DC-DC转换器、开关电源、LED驱动器和电源跟随器等应用。这款产品特别适合需要高效率、低导通损耗的场合,例如:
ZXMC10A816N8TC凭借其优异的性能指标和出色的应用适配性,成为现代电子设计中不可或缺的重要组件。无论是在高效能电源应用还是电动机控制系统中,该款MOSFET都展现出其强大的优势。作为DIODES(美台)旗下的产品,ZXMC10A816N8TC不仅在性能方面达到了行业领军水平,而且在可靠性和稳定性方面的表现同样令人瞩目,适合各种严苛的工业和消费电子产品设计需求。