类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 40V |
连续漏极电流(Id) | 3.7A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 150mΩ@4.5V,2.8A |
功率(Pd) | 8.8W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 7nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 833pF@20V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 78pF@20V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
ZXMP4A57E6TA 产品概述
ZXMP4A57E6TA是一款高性能的P沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),专为需要高效能、高可靠性的电子应用而设计。作为DIODES(美台)品牌的产品,该器件以其优越的电气性能和广泛的工作温度范围,成为许多前沿技术方案的首选。以下将详细介绍ZXMP4A57E6TA的规格、应用场景以及其在现代电子设计中的价值。
ZXMP4A57E6TA的额定漏源电压(Vds)为40V,最高连续漏极电流(Id)可达2.9A,确保其在大多数消费电子和工业应用中的稳定性与安全性。该器件的驱动电压主要在4.5V和10V范围内,能够灵活适应不同驱动条件下的应用需求。
在相应的工作条件下,ZXMP4A57E6TA的导通电阻(Rds(on))在10V时的最大值仅为80毫欧(@ 4A),这意味着在开启状态时器件的热产生相对较小,从而降低了能量损失和热管理难度,提高了整体能效。
ZXMP4A57E6TA的栅极阈值电压(Vgs(th))的最大值为3V(@ 250µA),这使得控制该MOSFET所需的驱动电压相对较低,适用于需要低栅极驱动的电路设计。
ZXMP4A57E6TA的输入电容(Ciss)在20V下的最大值为833pF,这记载了在开关速度与电路不断切换时的良好适应性。同时,其栅极电荷(Qg)在10V下的最大值为15.8nC,有助于提升开关速度和效率,适合高频开关场景。
此MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C,证明了其在极端条件下的可靠性,非常适合汽车、电源管理和消费电子等应用,这些都要求元器件在广泛的温度范围内稳定运行。此外,其额定功率耗散量为1.1W,确保在正常使用条件下不会因过热而导致性能衰减或故障。
ZXMP4A57E6TA采用SOT-26封装,具有较小的尺寸,适合现代小型化电路设计及表面贴装技术(SMT)。这种紧凑的封装形式极大地提高了电路设计的灵活性,适用于各种精简空间的应用场合,比如移动设备和便携式电子产品。
ZXMP4A57E6TA广泛应用于:
ZXMP4A57E6TA是一款可靠的P型MOSFET,具备多项高效能特性及广泛的应用领域。通过其优越的电气性能、宽广的工作温度范围以及高效的散热能力,该器件性能够满足现代电子设计日益增长的高效能需求。选择ZXMP4A57E6TA将为设计师提供一种理想的解决方案,以增强产品的整体性能与稳定性。