DMP3036SFV-13 产品实物图片
DMP3036SFV-13 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

DMP3036SFV-13

商品编码: BM0084328393
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
PowerDI3333-8
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2.3W 30V 30A 1个P沟道 PowerDI3333-8
库存 :
2453(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
1.54
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.54
--
100+
¥1.23
--
750+
¥1.1
--
1500+
¥1.03
--
3000+
¥0.98
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMP3036SFV-13参数

类型1个P沟道漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)30A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)20mΩ@10V
功率(Pd)2.3W阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)16.5nC@10V输入电容(Ciss@Vds)226pF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)168pF@15V工作温度-55℃~+150℃

DMP3036SFV-13手册

DMP3036SFV-13概述

DMP3036SFV-13 产品概述

DMP3036SFV-13 是由Diodes Incorporated制造的一款高性能P沟道MOSFET(场效应管),广泛应用于各种电子设备的电源管理和开关电路中。这款器件提供了卓越的电流承载能力和低导通电阻,适合要求严格的应用。

产品特性

  1. 高电流承载能力:DMP3036SFV-13在25°C时能够持续承载30A的漏极电流(Id),这使得它在高负载条件下仍能保持稳定的性能。其持续的电流能力使得该MOSFET在高功率应用中极具竞争力,能够用于逆变器、电动机控制以及电源开关等场景。

  2. 低导通电阻:在Vgs为10V,Id为8A的条件下,导通电阻(Rds On)最大值仅为20毫欧。低导通电阻意味着可以减少在正常运行时的功率损耗,提高系统的整体效率。

  3. 合适的开启电压:该元器件的栅源阈值电压(Vgs(th))最大为2.5V(在250µA电流下测得),这使得其在较小的控制电压下即可开启,适用于低电压驱动应用。

  4. 广泛的工作温度范围:DMP3036SFV-13的工作温度范围为-55°C ~ 150°C,适合高温和低温环境的各种应用。这种耐温特性为设计者提供了灵活性,确保即使在极端条件下也能正常工作。

  5. 先进的封装设计:该MOSFET采用PowerDI3333-8封装,是一种表面贴装型的封装,便于自动贴片和焊接工艺。其出色的热性能设计有助于提高产品可靠性。

  6. 低栅极电荷:在Vgs为10V的条件下,栅极电荷(Qg)最大值为16.5nC,表现出较低的驱动要求,适合于快速开关应用,可减少驱动电路的功耗。

  7. 输入电容特性:在Vds为15V的条件下,DMP3036SFV-13的输入电容(Ciss)最大值为1931pF,提供了良好的频率响应,能够高效地运作于高频开关应用中。

应用领域

DMP3036SFV-13因其卓越的性能和特性,适用于多种应用场景:

  • 电源管理:可广泛应用于开关电源、DC-DC变换器等电源管理设计中,能够有效地控制电源的流动,提升效率。

  • 电动机驱动:在电动机控制电路中,扮演重要的开关角色,为电动机提供稳定的电源输入。

  • 消费电子产品:由于其优良的热性能和低功耗特性,DMP3036SFV-13非常适合用于移动设备、家用电器等消费类产品。

  • 工业自动化:在工业设备中,力求高效和可靠性的MOSFET可应用于各种自动化控制模块中。

结论

DMP3036SFV-13不仅拥有高电流承载能力和低导通电阻,且具备广泛的工作温度范围和先进的封装技术,使其在多个领域的电源管理和开关应用中脱颖而出。其卓越的性能表现,使得该产品成为电子工程师在电源设计中的理想选择,助力实现更加高效和可靠的电子系统。无论是在工业控制、消费电子还是新兴技术应用中,DMP3036SFV-13都将是具有竞争力的解决方案。