晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 4.8A |
集射极击穿电压(Vceo) | 40V | 功率(Pd) | 1.25W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 220@1A,2V | 特征频率(fT) | 135MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 100mV@1A,10mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
产品名称: DXTP5840CFDB-7
类型: PNP 晶体管 (BJT)
封装: U-DFN2020-3
品牌: DIODES (美台)
DXTP5840CFDB-7 是一款高性能的 PNP 型结型晶体管,其设计重点在于高电流处理能力与紧凑的表面贴装封装。它的最大集电极电流 (Ic) 为 4.8A,适合用于需要处理中等功率且空间受限的应用场景。其集射极击穿电压 (Vce) 最大为 40V,能在多种电源配置中稳定工作。
电流特性:
电压特性:
压降和增益:
频率特性:
功率和温度:
DXTP5840CFDB-7 适用于多种电子设备,特别是在以下领域表现优异:
DXTP5840CFDB-7 采用 U-DFN2020-3 封装,这种表面贴装型设计提供了较好的热性能与紧凑尺寸,方便在空间受限的电路板上实现高效的集成。该封装也支持自动化焊接流程,提高了生产效率。
总之,DXTP5840CFDB-7 是一款具有高电流、高电压能力的 PNP 晶体管,适用于多种高性能和极端环保的应用场合。凭借其优越的电气特性和先进的封装设计,DXTP5840CFDB-7 不仅提高了电路性能,而且在各种应用中表现出色,是电子工程师开发新一代电子设备时的理想选择。无论是在消费类电子、电源管理还是工业驱动领域,这款晶体管都能满足严苛的设计需求。