类型 | 2个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 5.8A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 28mΩ@4.5V,5.8A |
功率(Pd) | 1.1W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 900mV@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 9.1nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 689pF@10V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 79pF@10V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
产品简介
DMN2041UVT-7 是一款高性能、表面安装的N沟道MOSFET,专为低功耗和高效率应用而设计。这款元件具有紧凑的TSOT-26封装,适合各种现代电子设备,同时也满足了空间有限的设计要求。其主要特性包括极低的导通电阻、较高的耐压能力以及广泛的工作温度范围,使其在诸如电源管理、负载开关以及信号开关等多种应用中均表现优异。
电气参数
最大漏极电流(Id): 该MOSFET可在25°C时承载最大连续漏极电流达到5.8A。这意味着在大多数条件下,它能够有效处理较大的电流流动,从而在需求较高的应用场景中表现良好。
漏源电压(Vdss): DMN2041UVT-7 的最大漏源电压为20V,使其能够安全操作于多种电源电压环境,增加了其适用性与灵活性。
导通电阻(Rds(on)): 在8.2A和4.5V的条件下,其导通电阻最大值为28毫欧,确保在连接的情况下功耗最小,从而提高整体能效。这一特性尤其适合用于电源开关和负载驱动等需要频繁开关的应用。
输入电容(Ciss): 输入电容在10V下最大值为689pF,这确保了在频繁开关的情况下信号传输的稳定性,能够满足高速操作的需求。
栅极电压阈值(Vgs(th)): 其最大栅极阈值电压为900mV(@250µA),使得在较低的栅极电压下即可实现良好的导通状态,更加适用于低电压驱动的场合。
栅极电荷(Qg): 最大栅极电荷为9.1nC,这意味着在快速开关操作中能够实现更高的转换效率,减少开关损耗。
应用领域
DMN2041UVT-7 适合于广泛的应用场景,包括但不限于:
电源管理: 在DC-DC变换器、开关电源等电源管理电路中作为开关元件使用,以提高能效和系统性能。
负载开关: 可以用作各种负载的开关器件,广泛应用于电池供电设备、便携式设备和嵌入式系统,帮助减小体积并提升效率。
信号开关: 适合用于音频、视频以及数据线路中的信号开关需求,实现高效的信号传输和切换。
工作环境
DMN2041UVT-7 的工作温度范围广泛,从-55°C到150°C,确保其在严格的环境条件下也能稳定运行,提升了其在工业、汽车及消费电子等领域的适用性。
总结
汇总上述特性,DMN2041UVT-7是一款兼具高性能和高灵活性的MOSFET,凭借其高导电能力、低功耗以及适应广泛电压和温度范围的能力,使其成为设计工程师在开发高效、紧凑和低功耗产品时的重要选择。无论是在电源管理、负载开关还是信号开关等多种领域,DMN2041UVT-7都能提供可靠的电气性能,是现代电子设计中不可或缺的元件之一。