DMG4800LK3-13 产品实物图片
DMG4800LK3-13 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

DMG4800LK3-13

商品编码: BM0084328401
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
TO252
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.71W 30V 10A 1个N沟道 TO-252
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.03
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.03
--
2500+
¥0.972
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

DMG4800LK3-13参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)10A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)12mΩ@10V,9A
功率(Pd)1.71W阈值电压(Vgs(th)@Id)1.6V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)8.7nC@5V输入电容(Ciss@Vds)798pF@10V
反向传输电容(Crss@Vds)122pF工作温度-55℃~+150℃

DMG4800LK3-13手册

DMG4800LK3-13概述

DMG4800LK3-13 产品概述

概述

DMG4800LK3-13 是一款高性能 N 通道 MOSFET,旨在满足现代电子设备对功率管理和电源开关的日益增长的需求。由著名半导体制造商 DIODES(美台)生产,此器件以其优越的电气特性和可靠性,广泛应用于各种电子设备,包括电源供应、 DC-DC 转换器、马达驱动器、LED 驱动、开关电源等领域。

关键特性

  • FET 类型: 该器件属于 N 通道 MOSFET 类型,适合在多种高效开关应用中使用。
  • 漏源电压 (Vdss): 额定漏源电压为 30V,此特性使其适用于需要中等电压操作的应用场景。
  • 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 环境下,DMG4800LK3-13 能够承受高达 10A 的连续漏电流,适合高负载条件的应用。
  • 导通电阻 (Rds On): 在 Vgs 为 10V 和 Id 为 9A 时,其最大导通电阻仅为 17 毫欧,确保在高电流操作下能保持较低的能量损耗。
  • 阈值栅电压 (Vgs(th)): 最大 Vgs(th) 为 1.6V(在 250µA 流量下),提升了驱动电路设计的灵活性,能够在较低栅压下开启,从而适合自动化控制和保护电路。
  • 栅极电荷 (Qg): 在 Vgs 为 5V 时,栅极电荷最大值为 8.7nC,有效降低了开关损耗和驱动电路的功耗。
  • 输入电容 (Ciss): 在 Vds 为 10V 的情况下,其输入电容最大值为 798pF,保证了较快的开关速度。
  • 功率耗散: 最大功率耗散为 1.71W(Ta),为器件提供了可靠的热管理性能,以避免过热失效。
  • 工作温度范围: 器件的工作温度范围广泛,从 -55°C 到 150°C,适用于严苛的工作环境。
  • 封装类型: DMG4800LK3-13 采用 TO-252 表面贴装封装,通用性强,便于自动化制造。

应用领域

DMG4800LK3-13 的优越性能使其成为多个行业的理想选择。具体应用包括但不限于:

  1. 开关电源: 由于其高效率和低导通电阻,适用于高频开关电源的应用。
  2. DC-DC 转换器: 该器件可用于提高转换效率,降低热效应,适合电源管理和电池供电设备。
  3. 马达驱动器: 在控制电机的过程中提供高效的开关性能,是电动工具和家用电器等应用的优选器件。
  4. LED 驱动: 能够在LED照明和背光的应用中提供稳定的电流和低功耗特性。
  5. 保护电路与自动化设备: 其低阈值栅压特性使其能够用于过流、过压保护电路设计。

总结

DMG4800LK3-13 是一款高效能的 N 通道 MOSFET,具备现代电路设计所需的电气特征和热性能,能够满足各种苛刻应用的需求。凭借其可靠性、经久耐用性和多样化的应用场景,DMG4800LK3-13 以其卓越的性价比,成为电子工程师和设计师们的首选元件之一。在当今竞争激烈的市场环境中,它为提升电子产品的性能和功率管理提供了强大的支持。