类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 2.3A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 140mΩ@10V,1.8A |
功率(Pd) | 700mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 8.6nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 315pF@40V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 16pF@40V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMN6140LQ-13 是一款高性能的 N 通道金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET),由 DIODES (美台) 生产。它采用小型 SOT-23 封装,适合用于空间受限的电子电路中,使得其在现代高密度电路应用中表现出色。该器件以其优越的电气性能,广泛应用于开关电源、马达控制、电池管理系统以及其他需要高效率和高功率密度的电子设备。
DMN6140LQ-13 MOSFET 具备诸多优点,使其适合于以下应用场合:
在设计时,工程师应考虑 DMN6140LQ-13 的最大工作电压、连续漏电流及功率耗散等关键参数,以确保元件在工作时不超过其极限,避免潜在的损坏。此外,工程师还需评估电路中其他元件的兼容性,包括驱动电路的输出能力和负载特性,以实现整体电路的高效稳定运行。
总体而言,DMN6140LQ-13 是一款强大的 N 通道 MOSFET,凭借其优越的性能和广泛的应用范围,成为了许多电子设计的首选元件。无论是在消费者电子产品,还是在工业控制领域,该产品均能为设计者提供可靠性和性能的双重保证。