类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 800V |
连续漏极电流(Id) | 4A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.3Ω@10V,2.5A |
功率(Pd) | 63W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@0.24mA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 31nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 570pF@100V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 12pF@640V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
产品概述
SPD04N80C3ATMA1 是一款高性能的N沟道MOSFET,特意为需要高电压和大电流处理能力的应用设计。它具有800V的漏源电压(Vdss)、4A的连续漏极电流(Id),并且在高温环境下仍能提供出色的稳定性和可靠性。这款FET广泛应用于开关电源、逆变器、电动机驱动和其他高压功率电子设备,是实现有效电源管理和高效电能转换的重要组件。
技术特点
MOSFET技术:SPD04N80C3ATMA1采用先进的MOSFET技术,具备低导通电阻和高效率,确保在工作时能量损失最小。这使得器件在开关频率较高的条件下能表现出良好的电气性能。
电气参数:
输入和栅极电荷特性:
功率耗散:该MOSFET的最大功率耗散能力为63W,符合高功率应用需求,并提供更高的热管理能力。
工作温度:SPD04N80C3ATMA1能够在-55°C至150°C的宽温度范围内安全运行,适合各种严苛的工作环境。
封装与安装
SPD04N80C3ATMA1采用TO-252-3(DPAK)封装,这种表面贴装型封装设计使其能够在自动化焊接过程中提高生产效率,并且适合于密集的PCB布局。TO-252-3的设计也提供了优越的热传导性能,确保器件在运行时不会过热,从而延长其使用寿命。
应用领域
由于其卓越的电气特性和可靠性,SPD04N80C3ATMA1 MOSFET在多个领域的应用中表现突出:
结论
总体而言,SPD04N80C3ATMA1是一款高品质、高性能的N沟道MOSFET,以其800V的高压能力和4A的电流处理能力,成为中高压应用的理想选择。其先进的技术和卓越的电气性能确保其在各种严苛环境下可靠运行,是电子设计工程师在构建高效可靠电源解决方案时的重要选择。